[发明专利]一种致密PbSe多晶薄膜的简单制备方法

权利要求书

1.一种致密PbSe多晶薄膜的制备方法，其特征在于所述制备方法是：以硒粉为硒源，以PbO为铅源，以碳粉作为还原剂，在570-1000℃的温度条件下通过热还原法制备得到所述的PbSe多晶薄膜。

2.根据权利要求1所述的致密PbSe多晶薄膜的制备方法，其特征在于所述的制备方法包括以下步骤：将沉积薄膜的衬底清洗干净以备后用；取原料硒粉、PbO粉末、碳粉混合均匀；将带有石英管的管式炉加热至570-1000℃保温，连续通入惰性气体；将混合均匀的原料置于石英舟中，把石英舟快速推入管式炉石英管的中间位置，然后把清洗好的衬底放在石英管中气流的下游400-500℃位置，且使沉积薄膜的衬底表面朝下，根据薄膜厚度的需要，沉积一定时间以后，将衬底从管式炉中取出，置于大气中冷却至室温，即得所述的致密PbSe多晶薄膜。

3.根据权利要求1或2所述的致密PbSe多晶薄膜的制备方法，其特征在于所述原料硒粉与PbO的投料摩尔比为1.2-1.1∶1。

4.根据权利要求1或2所述的致密PbSe多晶薄膜的制备方法，其特征在于所述PbO与碳粉的投料摩尔比为1.0-2.0∶1。

5.根据权利要求2所述的致密PbSe多晶薄膜的制备方法，其特征在于所述沉积薄膜的衬底的材质为硅、蓝宝石、石英或玻璃。