[发明专利]发光二极管封装结构无效

专利信息
申请号: 201010197226.7 申请日: 2010-06-02
公开(公告)号: CN102270627A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 郑子淇 申请(专利权)人: 英特明光能股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台湾桃园*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构,其特征在于,包括有:

一基板,该基板的一表面上设有一围栏,该围栏于该基板上包围形成一配置区域,该围栏的材质为透明材料;

一第一发光二极管,设置于该配置区域内,该第一发光二极管发出具有一第一波长的一第一光线;

一第二发光二极管,设置于该配置区域内并邻近于该第一发光二极管,该第二发光二极管发出具有一第二波长的一第二光线,并与该第一光线混合成为一照明光线;以及

一树脂材料,设置于该配置区域内,该树脂材料覆盖住该第一发光二极管与该第二发光二极管。

2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该基板更凹设有一容置槽,该围栏设置于该容置槽内。

3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该树脂材料内更含有一荧光材料。

4.根据权利要求3所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该荧光材料选自Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu2+F、(Sr1-x-yEuxMny)P2+zO7:Eu2+F、(Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2O7:Eu、SrGa2S4:Eu、((Ba,Sr,Ca)1-xEux)(Mg,Zn)1-xMnx))Al10O17、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-xEux)2SiO4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O82SrCl2:EuBAM:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce,Tb、BaMgAl10O17:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu ZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、及(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:EuaSr5(PO4)3Cl:Eua的其中之一或上述所组成的混合材质。

5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该第一波长的波长范围与该第二波长的波长范围为相同。

6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该第一波长的波长范围与该第二波长的波长范围为相异。

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