[发明专利]静电防护电路及采用此种静电防护电路的显示装置有效
申请号: | 201010197369.8 | 申请日: | 2010-06-03 |
公开(公告)号: | CN101859764A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 李佳声;陈勇志;林志隆 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 陶海萍 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 防护 电路 采用 显示装置 | ||
技术领域
本发明关于静电放电防护的技术领域,特别是关于一种静电防护电路(ESD PROTECTION CIRCUIT)及采用此静电防护电路的显示装置。
背景技术
传统液晶显示装置主要是采用薄膜晶体管式二极管(TFT diode)、金属-绝缘体-金属式二极管(metal-insulator-metal diode,MIM diode)、避雷针型图案设计以及串联阻抗这四种方式来防止静电放电破坏液晶显示装置内部的主要电路,例如是防止静电放电破坏液晶显示装置内部的栅极驱动电路(gate driver),或是防止静电放电破坏液晶显示面板内的像素电路。以下将分别介绍上述这四种方式。
图1为已有的其中一种液晶显示装置的说明图。请参照图1,此液晶显示装置100包括有显示面板110、多个静电防护装置120与短路环130。显示面板110中包括有多个像素112、多条栅极线114与多条源极线116,且每一像素112耦接其中一条栅极线114与其中一条源极线116。此外,每一静电防护装置120皆耦接短路环130,且每一静电防护装置120耦接这些栅极线114与这些源极线116的其中之一。
此外,每一静电防护装置120是由多个晶体管122所组成,且每一晶体管122都是一个以特殊方式连接的薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)。这些以特殊方式连接的薄膜晶体管即形成所谓的薄膜晶体管式二极管。图1所示的静电防护装置120有一缺点,就是这些静电防护装置120在经过长期使用后,静电防护装置120中的晶体管122的临界电压(threshold voltage,Vth)就会飘移,因而影响了晶体管122的导通能力。
图2为已有的另一种液晶显示装置的说明图。在图2中,标号与图1中的标号相同者表示为相同物件。请参照图2,相较于图1所示的静电防护装置120,此液晶显示装置200所采用的每一静电防护装置220乃是以金属-绝缘体-金属式二极管来实现。图2所示的静电防护装置220也有一缺点,就是当静电较小时,静电防护装置220的导通能力也较差;而当静电过大时,静电防护装置220则容易崩溃而造成永久损坏。
图3也为已有的一种液晶显示装置的说明图。在图3中,标号与图1中的标号相同者表示为相同物件。请参照图3,相较于图1所示的静电防护装置120,此液晶显示装置300所采用的每一静电防护装置320,乃是将一条栅极线114或一条源极线116中的部分金属区域搭配短路环130中的部分金属区域以避雷针型图案设计来加以实现。图3所示的静电防护装置320也有一缺点,就是当静电过大时,静电防护装置320也可能会永久性毁损。
图4为已有的再一种液晶显示装置的说明图。在图4中,标号与图1中的标号相同者表示为相同物件。请参照图4,相较于图1所示的静电防护装置120,此液晶显示装置400所采用的每一静电防护装置420乃是以电阻来实现,且此液晶显示装置400并未采用如图1所示的短路环130。此外,每一栅极线114皆透过一静电防护装置420耦接至栅极驱动电路(图中未示出),且每一源极线116皆透过一静电防护装置420耦接至源极驱动电路(source driver,图中未示出)。图4所示的静电防护装置420仍有其缺点,就是在增加这些电阻后,栅极驱动电路与源极驱动电路的负载就会增大,因而不易驱动各像素112。
综观上述,可知目前所使用的每一种静电放电防护方式皆有其缺点,且这些缺点都有可能造成无法有效防止静电放电破坏的缺失。甚至,还可能因为静电防护装置永久损坏而造成完全无法防止静电放电的破坏。由于静电放电的破坏无所不在,因此有必要提供一个性能稳定且可靠的静电防护装置。此外,所提供的这种静电防护装置还不能增加栅极驱动电路与源极驱动电路的负载量。
发明内容
本发明的目的就是在提供一种静电防护电路,其性能稳定且可靠,可用来取代已有的静电防护装置。此外,所提供的静电防护电路也不会增加栅极驱动电路与源极驱动电路的负载量。
本发明的另一目的是提供一种显示装置,其采用上述的静电防护电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的