[发明专利]集成电路方法

权利要求书

1.一种集成电路方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一集成电路设计布局；

进行一模拟热效应步骤，藉以模拟该集成电路设计布局的一热效应；

进行一模拟电气性能步骤，藉以根据该热效应的模拟来模拟该集成电路设计布局的一电气性能；以及

根据该电气性能的模拟，进行该集成电路设计布局的一热虚拟置入。

2.根据权利要求1所述的集成电路方法，其特征在于其中更包含在进行该集成电路设计布局的该热虚拟置入之后，根据该集成电路设计布局制造一遮罩。

3.根据权利要求2所述的集成电路方法，其特征在于其中更包含使用该遮罩制造一晶圆。

4.根据权利要求2所述的集成电路方法，其特征在于其中更包含在制造该遮罩之前，重复进行该模拟热效应步骤、进行该模拟电气性能步骤、以及进行该集成电路设计布局的该热虚拟置入，且其中重复进行该集成电路设计布局的该热虚拟置入包含加入一热虚拟特征、从新定义一热虚拟特征的尺寸、从新定义一热虚拟特征的位置、及从新定义一热虚拟特征的形状其中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的集成电路方法，其特征在于其中所述的进行该模拟热效应步骤包含模拟在一退火工艺中，一辐射光束的反射、传输及吸收。

6.根据权利要求1所述的集成电路方法，其特征在于其中所述的进行该模拟电气性能步骤包含模拟一离子植入工艺，或包含萃取临界值电压及饱和电流其中至少一者。

7.根据权利要求1所述的集成电路方法，其特征在于其中所述的进行该模拟热效应步骤包含使用一热模型模拟该集成电路设计布局的该热效应，且更包含：

提供多个测试图案，其中每一该些测试图案具有个别的线宽、线的间距、及线密度；

收集该些测试图案的热资料；以及

根据该热资料建构该热模型。

8.一种集成电路方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供多个测试图案；

收集该些测试图案的热资料；

根据该热资料建构一热模型；以及

使用该热模型，将多个热虚拟特征加入至一集成电路设计。

9.根据权利要求8所述的集成电路方法，其特征在于将该些热虚拟特征加入至该集成电路设计更包含：

使用该热模型来模拟该集成电路设计的一热效应；以及

根据该热效应的模拟来模拟该集成电路设计的一电气性能。

10.根据权利要求8所述的集成电路方法，其特征在于其中每一该些测试图案包含多个线特征或一个别的作用比，其中该些线特征具有个别的线宽、线的间距、及线密度。

11.根据权利要求8所述的集成电路方法，其特征在于其中提供该些测试图案包含制造多个测试图案在至少一晶圆上；以及收集该些测试图案的热资料包含从该至少一晶圆上收集该热资料，其中该些测试图案包含浅沟渠隔离特征。

12.根据权利要求8所述的集成电路方法，其特征在于其中收集该些测试图案的热资料包含：根据选自于由一急骤退火工艺、一快速热退火工艺、及一激光尖峰退火工艺所组成的一群组的一热退火工艺，模拟该测试图案。

13.根据权利要求8所述的集成电路方法，其特征在于其中根据该热资料建构该热模型包含产生一查询表，且将该些热虚拟特征加入至该集成电路设计包含使用该查询表加入该些热虚拟特征。

14.根据权利要求8所述的集成电路方法，其特征在于其中将该些热虚拟特征加入至该集成电路设计包含使用该热模型确认该集成电路设计上的一热弱点，并将热虚拟置入应用至该集成电路设计的该热弱点。

15.一种集成电路方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供多个测试图案；

收集该些测试图案的热资料；

根据该热资料建构一查询表；

评估一集成电路设计的热效应；

使用该查询表，将多个热虚拟特征加入至该集成电路设计；以及

在此之后，根据该集成电路设计制造一遮罩。