[发明专利]硅粉真空压实装置及其方法有效
申请号: | 201010198191.9 | 申请日: | 2010-06-10 |
公开(公告)号: | CN102009176A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 袁为进;黄强 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | B22F3/04 | 分类号: | B22F3/04 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 实装 及其 方法 | ||
技术领域
本发明属于硅材料处理利用技术领域,特别是一种硅粉真空压实装置及其方法。
背景技术
受益于光伏行业的快速发展,近年来太阳能级多晶硅材料的应用得到了迅猛发展。虽然几年来多晶硅的产量不断增加,但仍然赶不上多晶硅的需求,尤其是赶不上太阳能级多晶硅需求的增长速度,在全球范围内,太阳能级多晶硅的供需缺口越来越大,供不应求的状况愈演愈烈,这就要求我们不断发展新的方法或装置利用一切可以使用的硅原料,如硅粉。但对硅粉的利用需要我们在装炉前对其进行压实处理。行业内也有部分企业不经过压实直接装炉使用的,结果发现硅粉在抽真空阶段进入炉子真空管道,严重危害了炉子的使用性能。故大部分企业都在使用前对其优先压实,目前行业内对合格硅粉的压实通常采用机械压实,但这种方法的加工成本高,且由于加工环境及压实设备中金属器件的存在,给硅粉带来了二次污染,严重降低了硅粉的质量,并最终影响晶体质量。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:设计一种新的硅粉压实方法或装置,使其既能让硅粉得到充分利用,又不降低硅粉压实后的质量。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种硅粉真空压实装置,包括可抽真空容器,在可抽真空容器上设置进气阀和抽真空阀,硅粉放置在可抽真空容器内。
进一步地,可抽真空容器包括外壳及其上盖,上盖盖在外壳上。
更进一步地,上盖和外壳之间通过多个紧固压脚彼此固定连接,上盖和外壳之间的密封面设置密封垫。
为避免硅粉在压实的过程中受到在污染,硅粉放置在石英坩埚内,石英坩埚放置在可抽真空容器中,该石英坩埚优选直拉单晶硅中承载硅料的石英坩埚。
可抽真空容器内设置基座,石英坩埚安放在基座内。
进一步地,为方便硅粉压实后石英坩埚的搬移,基座有两个半环部件组装而成,两个半环部件之间通过紧固压脚连接成一体,同时在石英坩埚与基座之间设置衬板保护石英坩埚。
为防止通过进气阀泄压时强大的气流对硅粉的直接冲刷,在可抽真空容器的进气阀的下方设置档风缓冲板,挡板缓冲板挂设在可抽真空容器的内壁上。
进一步的,在可抽真空容器上设置监测可抽真空容器内部压力的负压阀。
一种使用本技术方案中的装置进行硅粉真空压实的方法,首先将硅粉装入可抽真空容器内,然后真空泵通过抽真空阀将可抽真空容器抽真空,抽真空后打开进气阀,硅粉经过真空及气体吹压得到压实。
整个抽真空时间控制在28~30分钟,在真空度达到28mmHg时将流量调至最小并保持4~5分钟,然后关闭抽真空阀,迅速打开进气阀。
本发明的有益效果是:本发明提供的技术方案是在原有单晶炉的基础上增设的,利用该硅粉压实装置既可让硅粉得到充分利用,又避免了硅料的再污染;且该装置加工成本低、操作简单。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明;
图1是本发明的结构示意图;
图2是本发明中的基座的结构示意图;
其中:1.外壳,2.基座,2-1.半环部件,3.石英坩埚,4.上盖,4-1.负压表,4-2.进气阀,4-3.抽真空阀,4-4.挡风缓冲板,5.衬板,6.紧固压脚,7.密封垫,8.硅粉。
具体实施方式
如图1所示的硅粉真空压实的装置,该装置包括可抽真空容器,在可抽真空容器上设置进气阀4-2、抽真空阀4-3以及监测可抽真空容器内部压力的负压阀4-1。可抽真空容器包括外壳1及其上盖4,上盖4盖在外壳1上。上盖4和外壳1之间通过多个紧固压脚6彼此固定连接,上盖4和外壳1之间的密封面设置密封垫7。硅粉8放置在石英坩埚3内,石英坩埚3放置在可抽真空容器中,该石英坩埚3优选直拉单晶硅中承载硅料的石英坩埚。可抽真空容器内设置基座2,石英坩埚3安放在基座2内。基座2有两个半环部件2-1组装而成,两个半环部件2-1之间通过紧固压脚6连接成一体,同时在石英坩埚3与基座2之间设置衬板5保护石英坩埚3。石英坩埚3侧面与基座2间的衬板5采用PP材料,石英坩埚3底部与基座2间垫的衬板5采用橡胶材料。在可抽真空容器的进气阀4-2的下方设置档风缓冲板4-4,挡板缓冲板4-4挂设在可抽真空容器的内壁上。
一种使用本技术方案中的装置进行硅粉真空压实的方法:硅粉8压实前,首先将直拉单晶硅专用石英坩埚3置于基座2上,然后将可供使用的硅粉8小心装入石英坩埚3内,用干净的洁净纸清理坩埚壁,盖上上盖4并固定好,连接真空泵抽真空,抽真空时必须非常慢的调节流量,使负压表4-1表针走速缓慢,要求整个抽真空时间控制在28~30分钟;在真空度达到28mmHg时将流量调至最小并保持4~5分钟后关闭抽真空阀4-3,迅速打开进气阀4-2。硅粉8在经过真空及气体吹压后得到压实,打开上盖4和基座2的紧固压脚6,将石英坩埚3连同压实后的硅粉8一起移入直拉单晶炉内完成后续的化料和拉晶过程。
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