[发明专利]Cu-Ga合金、溅射靶、Cu-Ga合金的制造方法以及溅射靶的制造方法

权利要求书

1.一种Cu-Ga合金，其由多个相构成；

所述Cu-Ga合金中含有重量百分比至少为40％且至多为60％的镓，剩余部分由铜和无法避免的杂质组成；

其中，所述的多个相中包括含有重量百分比至少为80％的镓的偏析相，并且所述的偏析相体积占所述Cu-Ga合金的总体积的比率不超过1％。

2.权利要求1所述的Cu-Ga合金，其中，所述的多个相中含有包括重量百分比至少为40％且至多为60％的镓的微粒，所述的微粒的直径至少为0.1μm且至多为30μm，所述微粒的体积占所述Cu-Ga合金的总体积的比率不低于90％。

3.一种Cu-Ga合金，其由多个相构成；

所述Cu-Ga合金中含有重量百分比至少为40％且至多为60％的镓，剩余部分由铜和无法避免的杂质组成；

其中，所述的多个相中包括含有铜和镓的合金的γ3相和ε相，并且

所述的γ3相和ε相的总体积占所述Cu-Ga合金的总体积的比率不低于99％。

4.权利要求3所述的Cu-Ga合金，其中，所述的γ3相含有直径至少为0.1μm且至多为30μm的微粒，所述γ3相的体积占所述Cu-Ga合金的总体积的比率不低于90％。

5.一种含有权利要求1所述的Cu-Ga合金的溅射靶。

6.一种制造Cu-Ga合金的方法，包括：

将含有重量百分比至少为40％且至多为60％镓以及由铜和无法避免的杂质组成的剩余部分的混合物加热熔融；以及

将所述的熔融混合物冷却至254℃以凝固成微粒，所述的微粒含有重量百分比至少为40％且至多为60％的镓，且直径为至少0.1μm且至多30μm，以使得所述微粒的体积占所述Cu-Ga合金的总体积的比率不低于90％。

7.权利要求6所述的方法，其进一步包括：

冷却后，在至少为200℃且至多为254℃的温度下进行至少8小时的热处理。

8.权利要求7所述的方法，其中，所述的冷却包括在20℃/秒的冷却速度下，将熔融混合物冷却至254℃。

9.权利要求8所述的方法，其中，所述的熔融包括将放在水冷模或坩埚中的混合物熔融，所述的冷却包括将水冷模或坩埚直接进行冷却。

10.一种制造溅射靶的方法，其包括：

将根据权利要求6所述的方法制得的Cu-Ga合金，形成具有预定形状的溅射靶。