[发明专利]多芯片封装结构以及形成多芯片封装结构的方法

权利要求书

1.一种多芯片封装结构，包含：

芯片载体；

半导体裸芯片，设置在该芯片载体的裸芯片依附面上，其中，多个输入/输出焊盘位于该半导体裸芯片之内或者之上；

重布线层压结构，位于该半导体裸芯片之上，该重布线层压结构包含多个重新分配接合焊盘，其中，多个该重新分配接合焊盘耦接该多个输入/输出焊盘；

至少一个接合线，将至少一个该重新分配接合焊盘与该芯片载体互连；

芯片封装，设置在至少另一个该重新分配接合焊盘之上；以及

胶体，封装该接合线的至少一部分。

2.如权利要求1所述的多芯片封装结构，其中，该重新分配接合焊盘中的至少一个投射在该半导体裸芯片的裸芯片侧面之外。

3.如权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，该芯片封装设置在该胶体的空腔内。

4.如权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，该胶体进一步封装该芯片封装的至少一部分。

5.如权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，该芯片封装通过至少一凸块与该半导体裸芯片电连接，其中该凸块接合至该芯片封装设置于之上的重新分配接合焊盘。

6.如权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，该芯片载体为封装基板或者印刷电路板。

7.如权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，该芯片载体为引线框架。

8.如权利要求7所述的多芯片封装结构，其特征在于，该多芯片封装为薄型四边引脚扁平封装或者四方扁平无引脚封装。

9.如权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，该接合线为金线或者铜线。

10.如权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，进一步包括支持结构，该支持结构包围该半导体裸芯片。

11.如权利要求10所述的多芯片封装结构，其特征在于，该支持结构的顶面与该半导体裸芯片的裸芯片面基本齐平。

12.如权利要求11所述的多芯片封装结构，其特征在于，该重布线层压结构也形成于该支持结构的该顶面上。

13.如权利要求10所述的多芯片封装结构，其特征在于，该支持结构和该胶体由不同的胶饼形成。

14.如权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，该芯片封装可通过至少一铜柱与该半导体裸芯片电连接，其中该铜柱接合至该芯片封装设置于之上的重新分配接合焊盘。

15.一种形成多芯片封装结构的方法，包含：

提供芯片载体；

设置半导体裸芯片在该芯片载体的裸芯片依附面上，其中，多个输入/输出焊盘位于该半导体裸芯片之内或者之上；

在该半导体裸芯片之上提供重布线层压结构，该重布线层压结构包含多个重新分配接合焊盘，其中，多个该重新分配接合焊盘耦接该多个输入/输出焊盘；

在至少一个该重新分配接合焊盘与该芯片载体之间连接至少一个接合线；

在至少另一个该重新分配接合焊盘上设置芯片封装；以及

由胶体封装该接合线的至少一部分。

16.如权利要求15所述的形成多芯片封装结构的方法，其特征在于，至少一个该重新分配接合焊盘投射在该半导体裸芯片的裸芯片侧面之外。

17.如权利要求15所述的形成多芯片封装结构的方法，其特征在于，该芯片封装设置在该胶体的空腔内。

18.如权利要求15所述的形成多芯片封装结构的方法，其特征在于，该胶体进一步封装该芯片封装的至少一部分。

19.如权利要求15所述的形成多芯片封装结构的方法，其特征在于，该芯片封装通过至少一凸块与该半导体裸芯片电连接，其中该凸块接合至该芯片封装设置于之上的重新分配接合焊盘。

20.如权利要求15所述的形成多芯片封装结构的方法，其特征在于，该芯片封装可通过至少一铜柱与该半导体裸芯片电连接，其中该铜柱接合至该芯片封装设置于之上的重新分配接合焊盘。