[发明专利]透明导电性膜和用于制造透明导电性膜的方法无效
申请号: | 201010199980.4 | 申请日: | 2010-06-10 |
公开(公告)号: | CN101930808A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 丸山竜一郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00;B32B9/04;B32B27/06;B32B3/14 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋;梁韬 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电性 用于 制造 方法 | ||
1.一种透明导电性膜,包括:
透光的膜基材,
在所述膜基材上设置的碳纳米管层,以及
透光并沉积在所述碳纳米管层上的金属氧化物层,
所述金属氧化物层设置有裂纹。
2.根据权利要求1所述的透明导电性膜,其中:
所述裂纹与所述膜基材的边缘近似平行地延伸。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性膜,其中:
所述裂纹在彼此近似垂直的两个方向上延伸。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的透明导电性膜,其中:
在所述膜基材的边缘,与所述边缘近似平行地延伸的所述裂纹的间隔比在所述膜基材中央处的更小。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的透明导电性膜,还包括:
至少一额外的纳米管层和/或至少一额外的金属氧化物层。
6.一种制造透明导电性膜的方法,包括以下步骤:
在透光的膜基材的主面上形成碳纳米管层,
在所述碳纳米管层上形成金属氧化物层,以及
通过弯曲其上形成有所述金属氧化物层的所述膜基材,在所述金属氧化物层中形成裂纹。
7.根据权利要求6所述的制造透明导电性膜的方法,其中:
在所述膜基材上形成所述碳纳米管层后进行形成裂纹的步骤。
8.根据权利要求7或8所述的制造透明导电性膜的方法,其中:
在形成裂纹的步骤中,将其上形成有所述金属氧化物层的所述膜基材沿圆柱体的侧壁输送以连续弯曲整个膜基材,从而形成所述裂纹。
9.根据权利要求7或8所述的制造透明导电性膜的方法,其中:
在形成裂纹的步骤中,抵靠在其上形成有所述金属氧化物层的所述膜基材上按压圆柱体状侧壁部分以引起弯曲,由此在所述金属氧化物层的预定部分形成所述裂纹。
10.根据权利要求9所述的制造透明导电性膜的方法,其中:
所述膜基材被切割以便所述裂纹存在于其边缘处。
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