[发明专利]透明导电性膜和用于制造透明导电性膜的方法无效
申请号: | 201010199980.4 | 申请日: | 2010-06-10 |
公开(公告)号: | CN101930808A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 丸山竜一郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00;B32B9/04;B32B27/06;B32B3/14 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋;梁韬 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电性 用于 制造 方法 | ||
相关申请的参考
本申请包含于2009年6月17日提交的日本优先专利申请JP2009-143968中公开的主题,其全部内容包括在此以供参考。
技术领域
本发明涉及透明导电性膜和制造透明导电性膜的方法,特别涉及防止导电率降低的透明导电性膜和制造防止导电率降低的透明导电性膜的方法。
背景技术
透明导电性膜用作平板显示器(例如液晶显示器、使用有机电致发光元件的显示器或电子纸)的显示表面侧的电极板,也用作设置在这类显示器的显示表面侧上的触控面板的电极板。透明导电性膜需要具有导电性和透明度,因此被配置为包括透光膜基材上的透明导电性材料的膜。
近年来,人们要求关于平板显示器的柔性弯曲的性质,所谓的柔韧性。因此,提出了应用含碳纳米管的材料膜作为透明导电性材料膜以用作透明导电性膜。此外,还提出了在含碳纳米管的这类材料膜上沉积由氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)等的透光、导电金属氧化物层(参考JP-A-2005-255985,第0019段以及JP-A-2008-177143,第0120段)。在这样的层状结构中,含碳纳米管的材料膜的导电率可由金属氧化物层补偿。
发明内容
然而,金属氧化物层没有柔韧性。因此,当包括金属氧化物层的这类透明导电性膜弯曲时,金属氧化物层中出现裂纹,从而导致电阻增大和导电率减小。
因此,需要提供具有柔韧性和高导电率并防止导电率降低的透明导电性膜和制造该导电性膜的方法。
根据本发明实施方式,提供了透明导电性膜,其包括透光的膜基材、设置在膜基材上的碳纳米管、以及透光并沉积在碳纳米管层上的金属氧化物层。具体地,金属氧化物层设置有裂纹。
在这类透明导电性膜中,碳纳米管层的导电率由金属氧化物层补偿,因此实现高导电率。此外,因为裂纹是在金属氧化物层中预先形成的,这防止了在透明导电性膜弯曲的情形下由于金属氧化物层中出现新的裂纹导致的导电率损失。
根据本发明另一个实施方式,提供了制造透明导电性膜的方法,其包括以下步骤。首先,在透光膜基材的主面上形成碳纳米管层。进一步,在碳纳米管层上形成金属氧化物层。然后弯曲其上形成有金属氧化物层的膜基材以在金属氧化物层中形成裂纹。
由此提供了具有根据本发明实施方式的结构的透明导电性膜,其中设置有裂纹的金属氧化物层沉积在碳纳米管层上。
如上面所述,本发明的某些实施方式使得能够防止具有柔韧性和高导电率的透明导电性膜的导电率损失。
附图说明
图1是示出了根据第一实施方式的透明导电性膜的构造的示意截面图。
图2是根据第一实施方式的透明导电性膜的平面图。
图3A~图3C示出根据第一实施方式的透明导电性膜的制造方法。
图4A~图4C是示出透明导电性膜的变形例的示意截面图。
图5是根据第二实施方式的透明导电性膜的平面图。
图6是根据第三实施方式的透明导电性膜的平面图。
图7A和图7B示出根据第三实施方式的透明导电性膜的制造方法的特征。
图8是适于使用根据第三实施方式的透明导电性膜的触控面板的示意截面图。
图9是根据第四实施方式的透明导电性膜的平面图。
图10A和图10B示出根据第四实施方式的透明导电性膜的制造方法的特征。
图11是示出实施例的透明导电性膜中关于弯曲应力循环的电阻变化的曲线。
具体实施方式
以下面的顺序参考附图解释本发明部分实施方式。
1.第一实施方式(裂纹设置在在两个彼此近似垂直的方向上延伸的情形)
2.第二实施方式(裂纹设置在在一个方向上延伸的情形)
4.第三实施方式(裂纹设置在边缘部分的情形)
5.第四实施方式(裂纹在中央的间隔更紧密的情形)
1.第一实施方式
透明导电性膜的构造
图1是根据第一实施方式的透明导电性膜1-1的示意截面图,图2是透明导电性膜1-1的平面图。这些图中示出的第一实施方式的透明导电性膜1-1具有这样的构造,即透光金属氧化物层15-1设置在膜基材11上,它们之间有碳纳米管层13。具体地,其特征是裂纹A设置在金属氧化物层15-1中。在下文中,这类具有裂纹A金属氧化物层15-1被称为含裂纹的金属氧化物层15-1。将在下面详细说明各个元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010199980.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。