[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
申请号: | 201010202949.1 | 申请日: | 2010-06-10 |
公开(公告)号: | CN102044611A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 丁焕熙;李尚烈;宋俊午;吴昌勋;崔熙石;崔光基 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/26;H01L33/62;H01L33/48 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;吴鹏章 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光器件,包括:
粘合层;
设置在所述粘合层上的电极层;
设置在所述电极层上的欧姆层;和
设置在所述欧姆层上的发光结构,所述发光结构包括第一导电型半导体层、设置于所述第一导电型半导体层上的有源层和设置于所述有源层上的第二导电型半导体层,其中沟道层沿着所述发光结构的底边缘设置在所述粘合层之上,和其中所述欧姆层的端部在所述沟道层下延伸。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述欧姆层的端部与所述粘合层的外壁间隔开预定距离。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述电极层的端部不与所述欧姆层接触。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述电极层或所述欧姆层中的至少之一具有比所述发光结构更大的长度和宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述电极层或所述欧姆层中的至少之一延伸到所述半导体发光器件的外壁。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述电极层包括反射材料。
7.根据权利要求1所述的半导体发光器件,还包括设置在所述欧姆层和所述发光结构之间的电流阻挡层。
8.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述粘合层接触所述沟道层的下表面。
9.一种半导体发光器件封装,包括权利要求1所述的发光器件。
10.根据权利要求9所述的半导体发光器件封装,包括:
主体,所述半导体发光器件设置于其中;
多个引线电极,其与所述半导体发光器件电连接;和
模制元件,其配置为模制所述半导体发光器件。
11.一种半导体发光器件,包括:
粘合层;
设置在所述粘合层上的电极层;
设置在所述电极层上的欧姆层;和
设置在所述欧姆层上的发光结构,所述发光结构包括第一导电型半导体层、设置于所述第一导电型半导体层上的有源层和设置于所述有源层上的第二导电型半导体层,其中覆盖层设置在所述粘合层上,沟道层设置在所述覆盖层之上并且沿着所述发光结构的底边缘延伸。
12.根据权利要求11所述的半导体发光器件,其中所述覆盖层由对所述沟道层材料具有良好粘合力的材料形成。
13.根据权利要求12所述的半导体发光器件,其中所述覆盖层的材料包括选自Ti、Ni、Pt、Pd、Cu、Al、Ir和Rh中一种或更多种的混合金属。
14.根据权利要求11所述的半导体发光器件,其中所述覆盖层的内端部与所述第一导电型半导体层的底表面接触。
15.根据权利要求14所述的半导体发光器件,其中所述覆盖层的外边缘延伸到所述半导体发光器件的外壁。
16.根据权利要求11所述的半导体发光器件,其中所述覆盖层具有比所述欧姆层高的电导率。
17.根据权利要求11所述的半导体发光器件,其中所述覆盖层形成为圈、环或框的形状。
18.根据权利要求11所述的半导体发光器件,其中所述粘合层与所述沟道层的下表面接触。
19.一种半导体发光器件封装,包括权利要求11所述的发光器件。
20.根据权利要求19所述的半导体发光器件封装,包括:
主体,所述半导体发光器件设置于其中;
多个引线电极,其与所述半导体发光器件电连接;和
模制元件,其配置为模制所述半导体发光器件。
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