[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本文公开了一种半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

半导体发光器件及其制造方法是已知的。然而，它们具有多种缺点。

发明内容

本发明的一个实施方案涉及一种半导体发光器件，包括：粘合层；设置在所述粘合层上的电极层；设置在所述电极层上的欧姆层；和设置在所述欧姆层上的发光结构，发光结构包括第一导电型半导体层、设置于所述第一导电型半导体层上的有源层和设置于所述有源层上的第二导电型半导体层，其中沟道层沿着所述发光结构的底边缘设置在所述粘合层上，所述欧姆层的端部在所述沟道层下延伸。

本发明的另一个实施方案涉及一种半导体发光器件，包括：粘合层；设置在所述粘合层上的电极层；设置在所述电极层上的欧姆层；和设置在所述欧姆层上的发光结构，发光结构包括第一导电型半导体层、设置于所述第一导电型半导体层上的有源层和设置于所述有源层上的第二导电型半导体层，其中覆盖层设置在所述粘合层上，沟道层设置在所述覆盖层之上并且沿着所述发光结构的底边缘延伸。

本发明的一些实施方案还涉及包括本发明半导体发光器件的半导体发光器件封装。

附图说明

将参考以下附图详细描述实施方案，其中相同附图标记表示相同元件，其中：

图1是根据一个实施方案的半导体发光器件的剖面图；

图1A是根据另一个实施方案的半导体发光器件的剖面图；

图2是图1的半导体发光器件沿着线II-II的剖面图；

图3至13是说明制造根据一个实施方案的半导体发光器件的方法的剖面图；

图14是根据另一个实施方案的半导体发光器件的剖面图；

图15是根据另一个实施方案的半导体发光器件的剖面图；

图16是根据另一个实施方案的半导体发光器件的剖面图；

图17是图16的半导体发光器件沿着线XVII-XVII的剖面图；和

图18是根据一个实施方案的半导体发光器件封装的剖面图。

具体实施方式

以下，将具体描述根据本发明实施方案，实施方案的具体例子将在附图中图示说明。可能的话，相同附图标记表示相同元件。

在实施方案的描述中，应理解，当层(或膜)、区域、图案或结构称为在衬底、层(或膜)、区域、垫或图案“上/下”时，其可以直接在所述衬底、层(或膜)、区域、垫或图案“上/下”，或者可以存在中间层。此外，关于各层的  “上/下”的描述基于附图来进行。在附图中，各元件的尺寸出于图示说明清楚的目的可以被放大，并且各元件尺寸可能不同于其实际尺寸。

由于其物理和化学特性，III～V族氮化物半导体被用作发光器件如发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的核心材料。III～V族氮化物半导体的实例是具有组成式In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的氮化物半导体。

LED是用作光源或者利用化合物半导体的特性将电转化成光从而变换信号的半导体器件。基于氮化物半导体的LED或LD被广泛地用于发光器件中以及用作各种产品例如移动电话的键盘发光单元、电子显示板和照明器件的光源。

图1是根据一个实施方案的半导体发光器件的剖面图。图2是图1的半导体发光器件沿着线II-II的剖面图。

参考图1和2，半导体发光器件100可包括发光结构135、沟道层140、欧姆层150、电极层160、粘合层170和导电支撑元件175。

半导体发光器件100可用化合物半导体如III-V族化合物半导体形成。半导体发光器件100可发射可见光区域的光如蓝、绿和红光，并且可发出紫外区域的光。半导体发光器件100可在实施方案的技术范围内改变形状和结构。

发光结构135可包括第一导电型半导体层110、有源层120和第二导电型半导体层130。第一导电型半导体层110可利用例如掺杂了第一导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体形成。例如，III-V族化合物半导体可包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP的至少一种。例如，如果第一导电型半导体层110由N型半导体形成，则第一导电型掺杂剂可选自V族元素。第一导电型半导体层110可形成为具有单层或多层结构；但是实施方案不限于此。