[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

在所述衬底上形成的第一氧化物层；

在所述第一氧化物层上形成的单晶硅层；

在所述单晶硅层上形成的第二氧化物层；

在所述第二氧化物层上形成的栅极。

2.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述单晶硅层是由非晶硅层进行退火工艺形成的。

3.如权利要求2所述的器件结构，其特征在于，形成所述非晶硅层是包括SiH₄的源气体在150～250摄氏度下进行制备。

4.如权利要求3所述的器件结构，其特征在于，形成所述非晶硅层的方式是等离子体增强化学气相沉积法。

5.如权利要求2所述的器件结构，其特征在于，所述退火工艺是快速热退火工艺或尖峰退火工艺。

6.如权利要求2或5所述的器件结构，其特征在于，所述退火工艺中采用的气体是Ar、He或N₂。

7.如权利要求2或5所述的器件结构，其特征在于，所述退火工艺在900～1300摄氏度下退火10～180秒。

8.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述第一氧化物层和所述第二氧化物层的材料是氧化硅或二氧化硅。

9.如权利要求8所述的器件结构，其特征在于，形成所述第一氧化物层的方法是炉管氧化法。

10.如权利要求7或8所述的器件结构，其特征在于，所述第一氧化物层的厚度为30～100埃。

11.如权利要求1所述的器件结构，其特征在于，所述单晶硅层的厚度为30～100埃。

12.如权利要求1或8所述的器件结构，其特征在于，所述第二氧化物层采用包括SiH₂Cl₂与N₂O的混合气体或者是SiH₄与N₂O的混合气体，在750～800摄氏度下进行制备。

13.如权利要求1或8所述的器件结构，其特征在于，所述第二氧化物层的方法是高温氧化法。

14.如权利要求1或8所述的器件结构，其特征在于，所述第二氧化物层的厚度是50～300埃。

15.一种制作半导体器件的方法，包括：

(a)提供衬底；

(b)在所述衬底上形成第一氧化物层；

(c)在所述第一氧化物层上形成单晶硅层；

(d)在所述单晶硅层上形成第二氧化物层；

(e)在所述第二氧化物层上形成栅极。

16.如权利要求15所述的器件结构，其特征在于，所述步骤(c)依次包括：

(c₁)在所述第一氧化物层上形成非晶硅层；

(c₂)对所述单非晶硅层进行退火工艺以形成单晶硅层。

17.如权利要求16所述的器件结构，其特征在于，以包括SiH₄的源气体在150～250摄氏度下制备所述非晶硅层。

18.如权利要求17所述的器件结构，其特征在于，形成所述非晶硅层的方式是等离子体增强化学气相沉积法。

19.如权利要求16所述的器件结构，其特征在于，所述退火工艺是快速热退火工艺或尖峰退火工艺。

20.如权利要求16或19所述的器件结构，其特征在于，所述退火工艺中采用的气体是Ar、He或N₂。

21.如权利要求16或19所述的器件结构，其特征在于，所述退火工艺在900～1300摄氏度下退火10～180秒。

22.如权利要求15所述的器件结构，其特征在于，所述第一氧化物层和所述第二氧化物层的材料是氧化硅或二氧化硅。

23.如权利要求22所述的器件结构，其特征在于，形成所述第一氧化物层的方法是炉管氧化法。

24.如权利要求21或22所述的器件结构，其特征在于，所述第一氧化物层的厚度为30～100埃。