[发明专利]电压侦测电路无效
申请号: | 201010203953.X | 申请日: | 2010-06-09 |
公开(公告)号: | CN102279303A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 杨光军 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R15/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 侦测 电路 | ||
1.一种电压侦测电路,其特征在于,包括:
分压单元,对被侦测电路的输出电压进行分压而产生分压电压;
可控开关,具有控制端和输出端,所述控制端输入所述分压电压,所述输出端输出控制信号,所述可控开关在所述分压电压小于预设电压时导通,将所述输出端的控制信号设置为有效信号;
设置单元,输入端与可控开关的输出端连接,在可控开关关断时将所述控制信号设置为无效信号。
2.如权利要求1所述的电压侦测电路,其特征在于,所述可控开关为PMOS晶体管,该PMOS晶体管的源极与第一供电电源连接,所述预设电压为第一供电电源的供电电压和PMOS晶体管的阈值电压之和,漏极为所述可控开关的输出端,栅极为所述可控开关的控制端。
3.如权利要求1或2所述的电压侦测电路,其特征在于,所述设置单元为NMOS晶体管,该NMOS晶体管的栅极与第二供电电源连接,漏极连接可控开关的输出端,源极接地。
4.如权利要求1或2所述的电压侦测电路,其特征在于,所述设置单元是阻值为100~100M欧姆的电阻。
5.如权利要求1所述的电压侦测电路,其特征在于,所述分压单元包括第一电容和第二电容,第一电容的第一极与被侦测电路的输出端连接,所述第二电容的第一极与第一电容的第二极连接,所述第二电容的第二极接地,第一电容的第二极和第二电容的第一极之间的节点输出所述分压电压。
6.如权利要求1所述的电压侦测电路,其特征在于,所述分压单元包括第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管的第一极与被侦测电路的输出端连接,第一晶体管的控制极与第一晶体管的第二极连接,第二晶体管的第一极连接于第一晶体管的控制极,第二晶体管的控制极和第二晶体管的第二极接地,第一晶体管的第二极和第二晶体管的第一极之间的节点输出所述分压电压。
7.如权利要求1所述的电压侦测电路,其特征在于,所述有效信号为高电平信号,所述无效信号为接地信号。
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