[发明专利]电压侦测电路

说明书

技术领域

本发明涉及电压侦测电路。

背景技术

请参阅图1，现有的电压侦测电路包括PMOS晶体管T1、NMOS晶体管T2、PMOS晶体管T3、NMOS晶体管T4、偏置电流源Ibas和带隙基准源。PMOS晶体管T1的一极接电源VDD，另一极与NMOS晶体管T2的一极连接，栅极与PMOS晶体管T3的栅极连接。NMOS晶体管T2的另外一极与偏置电流源连接，栅极与被侦测电路的输出端连接，用于输入被侦测电路的输出电压。PMOS晶体管T3的一极接电源VDD，另外一极与NMOS晶体管T4的一极连接，NMOS晶体管T4的另外一极与偏置电源Ibas连接，栅极输入带隙基准源产生的电压Vref。

请参阅图2，上述电压侦测电路可以理解为比较器，以被侦测电路的输出电压vset接入比较器的同相输入端，带隙基准源的输出电压vref接入反相输入端为例说明上述电压侦测电路的工作原理。当输出电压vset大于参考电压vref时，控制信号bleed为低电平，用以表示输出电压大于参考电压，当输出电压vset小于参考电压vref时，控制信号bleed为高电平，用于表示输出电压低于参考电压，当将所述参考电压设为一预设值时，上述电压侦测电路通过控制信号bleed的电平即可判断被侦测电路的输出电压与参考电压的大小关系，从而，完成对输出电压的侦测。

另外，采用比较器对参考电压和输出电压进行比较并根据比较结果来实现电压侦测的专利申请还可以参见中国专利授权公告第CN1235054C号。

上述电压侦测电路需要设置偏置电流源，这样，在电压侦测电路工作时，偏置电流源为整个电路提供比较器提供电流，从而，电压侦测电路的功耗高。

发明内容

本发明解决的技术问题是现有的电压侦测电路功耗高的问题。

为了解决上述问题，本发明提供一种电压侦测电路，该电压侦测电路包括分压单元、可控开关和设置单元，分压单元对被侦测电路的输出电压进行分压而产生分压电压；可控开关具有控制端和输出端，所述控制端输入所述分压电压，所述输出端输出控制信号，所述可控开关在所述分压电压小于预设电压时导通，将所述输出端的控制信号设置为有效信号；设置单元输入端与可控开关的输出端连接，在可控开关关断时将所述控制信号设置为无效信号。

可选地，所述可控开关为PMOS晶体管，该PMOS晶体管的源极与第一供电电源连接，所述预设电压为第一供电电源的供电电压和PMOS晶体管的阈值电压之和，漏极为所述可控开关的输出端，栅极为所述可控开关的控制端。

可选地，所述设置单元为NMOS晶体管，该NMOS晶体管的栅极连接第二供电电源，漏极连接可控开关的输出端，源极接地。

可选地，所述设置单元是阻值为100～100M欧姆的电阻。

可选地，所述分压单元包括第一电容和第二电容，第一电容的第一极与被侦测电路的输出端连接，第一电容的第二极连接所述第二电容的第一极，所述第二电容的第二极接地，第一电容的第二极和第二电容的第一极之间的节点输出所述分压电压。

可选地，所述分压单元包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的第一极与被侦测电路的输出端连接，第一晶体管的控制极与第一晶体管的第二极连接，第二晶体管的第一极连接于第一晶体管的控制极，第二晶体管的控制极和第二晶体管的第二极接地，第一晶体管的第二极和第二晶体管的第一极之间的节点输出所述分压电压。

可选地，所述有效信号为高电平信号，所述无效信号为接地信号。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1、本发明的电压侦测电路不用设置偏置电流源，在对被侦测电路的输出电压进行侦测的过程中，电路功耗低。

2、当本发明的电压侦测电路用于存储器的读写操作时，在待机状态(既不执行读操作，也不执行写操作)下也不会消耗电流，功耗低。

3、由于包括分压单元，当被侦测电路的输出电压很高时，可以通过分压产生分压电压，从而，实现对输出电压的侦测，保护电压侦测电路，而且，当所述分压单元采用电容式分压单元时，在工作过程中，也没有电流消耗，整个电路工作功耗低。

附图说明

图1是现有技术的电压侦测电路的原理图；

图2是图1的等效电路图；

图3是本发明电压侦测电路的原理框图；

图4是本发明电压侦测电路第一实施例的具体电路图；

图5是本发明电压侦测电路应用于电压调节器的原理框图；

图6是图5的电压调节器的参考电路的原理图；