[发明专利]一种多孔道结构ITO气敏材料固相合成的方法无效
| 申请号： | 201010207842.6 | 申请日： | 2010-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101905968A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 周晓龙;曹建春;陈敬超;阮进;于杰;杜焰;沈黎;吴大平 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/457;C04B35/622 |
| 代理公司： | 昆明正原专利代理有限责任公司 53100 | 代理人： | 金耀生 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 结构 ito 材料 相合 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多孔道结构ITO气敏材料固相合成的方法，其特征在于按以下步骤进行：
1)原料：市售ITO粉，粉末粒度在50-500nm之间，纯度达到99.995％；
2)钢模压制：将市售ITO粉装入钢模中，按压制压力为70-100Mpa；保压2-5min，的条件压成素坯；
3)将素坯放入烧结炉进行固相氧气氛烧结，烧结工艺为：升温速率控制在50-500℃/h，第一段温度范围控制在600-700℃，保温1-5小时；第二段温度范围控制在1300-1500℃，保温1-5小时后得多孔道结构ITO气敏材料。
2.根据权利要求1所述的多孔道结构ITO气敏材料固相合成的方法，其特征在于：在升温过程中氧气流量控制在3-10L/min，所使用的氧气纯度高于99.999％，露点低于-72℃。
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