[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其包括有一基板，形成一第一金属层于该基板上，再于该基板上形成一绝缘层覆盖该第一金属层，并于该绝缘层上形成一半导体层，一第二金属层形成于该半导体层上部分区域，并由一钝化层覆盖该第二金属层及该半导体层，一透明电极层在该钝化层上形成并覆盖，其特征在于：

该第一金属层为多层薄膜结构，其至少具有三层铝薄膜，该三层铝薄膜系为第一铝薄膜、第二铝薄膜及第三铝薄膜，其中该第二铝薄膜系覆盖在该第一铝薄膜上，且该第二铝薄膜夹置于该第一铝薄膜和第三铝薄膜之间。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中该三层铝薄膜之该第一铝薄膜和该第三铝薄膜为膜质致密的铝薄膜。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中该三层铝薄膜之该第二铝薄膜为膜质疏松的铝薄膜。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中该第一金属层更包括该一第一钼薄膜，其覆盖在该三层铝薄膜上形成一钼-铝结构，藉以加强第一金属层的密实度，以减少小丘(hillock)的产生。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中该第一金属层更包括一第一钼薄膜和一第二钼薄膜两层钼薄膜，该第二钼薄膜覆盖该基板上，该第一钼薄膜覆盖在该三层铝薄膜上，且该三层铝薄膜夹置于该第一钼薄膜和第二钼薄膜之间，形成一钼-铝-钼结构，藉以加强第一金属层的密实度，以减少小丘(hillock)的产生。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中该第二金属层包括一第三钼薄膜、一第四钼薄膜和一三层铝薄膜，该第三钼薄膜覆盖该半导体层上，该第四钼薄膜覆盖在该三层铝薄膜上，且该三层铝薄膜夹置于该第三钼薄膜和该第四钼薄膜之间，形成一钼-铝-钼结构，藉以加强第二金属层的密实度，以减少小丘(hillock)的产生。

7.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其包括：

先提供一基板，再于该基板上形成一第一金属层，接着于该第一金属层上形成一绝缘层并覆盖该第一金属层于该基板，再由一半导体层沉积於该绝缘层上，且於该半导体层與该绝缘层上沉积一第二金属层，接续于该绝缘层、该半导体层及第二金属层上形成一钝化层并由其覆盖，最后在该钝化层上形成一透明电极层，其特征在于：

该第一金属层更包含有至少三层铝薄膜镀膜，其中先将一铝靶材及该基板置于一镀膜腔体中，在镀膜压力为0.03Pa～0.4Pa、镀膜功率不大于53kw、镀膜时间为不大于10s的时间下于该基板上沉积一第一铝薄膜，接续在镀膜压力为0.03Pa～0.4Pa、镀膜功率不大于85kw、镀膜时间不大于26s的时间下于该第一铝薄膜上沉积一第二铝薄膜，然后在镀膜压力为0.03Pa～0.4Pa、镀膜功率为不大于53kw、镀膜时间不大于12s的时间下于该第二铝薄膜上沉积一第三铝薄膜。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中沉积该第一铝薄膜的镀膜功率为30kw～53kw、镀膜时间为2s～10s。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中沉积该第二铝薄膜的镀膜功率为50kw～85kw、镀膜时间16s～26s。

10.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中沉积该第三铝薄膜的镀膜功率为30kw～53kw、镀膜时间2s～12s。

11.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中该三层铝薄膜之该第一铝薄膜和该第三铝薄膜为膜质致密的铝薄膜。

12.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中该三层铝薄膜之该第二铝薄膜为膜质疏松的铝薄膜。

13.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中该第一金属层更包括一第一钼薄膜，该第一钼薄膜系在三层铝薄膜形成后沉积于该三层铝薄膜之该第三铝薄膜上。

14.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中该第一金属层更包括一第一钼薄膜和一第二钼薄膜两层钼薄膜，在该三层铝薄膜之前沉积该第二钼薄膜，在该三层铝薄膜之后沉积该第一钼薄膜于该三层铝薄膜之该第三铝薄膜上。