[发明专利]双向三态缓冲器无效
| 申请号： | 201010208425.3 | 申请日： | 2010-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101877584A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 赵剑峰;鞠瑜华 | 申请（专利权）人： | 成都华微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/177 | 分类号： | H03K19/177 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610041 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双向 三态缓冲器 | ||
【权利要求书】：
1.双向三态缓冲器，其特征在于，由MOS管(41～44)、存储单元(M1)、存储单元(M2)和一个缓冲单元(S)构成，A点接MOS管(43)的输入端和MOS管(42)的输出端，B点接MOS管(41)的输入端和MOS管(44)的输出端，MOS管(43)的输出端、MOS管(41)的输出端和缓冲单元(S)的输入端接C点，D点接缓冲单元(S)的输出端和MOS管(42)、MOS管(44)的输入端；存储单元(M1)与MOS管(41)、(42)、(43)的栅极连接，存储单元(M2)与MOS管(44)的栅极连接。
2.如权利要求1所述的双向三态缓冲器，其特征在于，所述MOS管(41)、(42)、(44)为N沟道MOS管，MOS管(43)为P沟道MOS管。
3.如权利要求1所述的双向三态缓冲器，其特征在于，所述MOS管(41)～(44)为N沟道MOS管，存储器(M1)通过非门与MOS管(43)的栅极连接，存储器(M1)还与MOS管(41)和MOS管(42)的栅极直接连接。
4.如权利要求1所述的双向三态缓冲器，其特征在于，D点为负载连接点。
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