[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

形成至少一材料层于一基材上；

进行一终端裁切图案化制程，借以形成位于该至少一材料层之上的一终端裁切图案；

转移该终端裁切图案至该至少一材料层；

在该终端裁切图案化制程之后，进行一线性裁切图案化制程，借以形成位于该至少一材料层之上的一线性裁切图案；以及

转移该线性裁切图案至该至少一材料层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包含：

在该转移该终端裁切图案及该转移该线性裁切图案的步骤之后，测量一参数；

根据所测量的该参数决定该线性裁切图案化制程是否需要修正；以及

根据所测量的该参数决定该终端裁切图案化制程是否需要修正。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该根据所测量的该参数决定该线性裁切图案化制程是否需要修正的步骤还包含：

前馈所测量的该参数至该线性裁切图案化制程；

比较所测量的该参数与一目标参数；

假如所测量的该参数从该目标参数产生变异，修正该线性裁切图案化制程的一或多个制程参数；以及

在该终端裁切图案化制程之后，根据修正的该一或多个制程参数进行该线性裁切图案化制程，借以形成位于该至少一材料层之上的该线性裁切图案。

4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该根据所测量的该参数决定该终端裁切图案化制程是否需要修正的步骤还包含：

回馈所测量的该参数至该终端裁切图案化制程；

比较所测量的该参数与一目标参数；

假如所测量的该参数从该目标参数产生变异，修正该终端裁切图案化制程的一或多个制程参数；以及

根据修正的该一或多个制程参数进行该终端裁切图案化制程，借以形成位于另一基材的至少一材料层之上的一终端裁切图案。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，进行该终端裁切图案化制程的步骤及进行该线性裁切图案化制程的步骤包含使用一三层图案化技术，使用该三层图案化技术的步骤包含：

形成一底层及一中间层于该至少一材料层上；

形成一被图案化上层于该中间层上；以及

进行多个蚀刻制程以转移该被图案化上层的一图案至该中间层、该底层及该至少一材料层上。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成该至少一材料层于该基材上的步骤包含：

沉积一高介电系数介电层于该基材上；

沉积一栅极层于该高介电系数介电层上；以及

沉积一硬掩膜层于该栅极层上；

其中转移该终端裁切图案至该至少一材料层的步骤及转移该线性裁切图案至该至少一材料层的步骤包含：

移除该硬掩膜层的一部分以形成一保护性掩膜于该高介电系数介电层及该栅极层上，其中该保护性掩膜保护该栅极层及该高介电系数介电层的一部分；以及

移除该高介电系数介电层及该栅极层未受到保护的部分，借以形成一或多个栅极堆叠。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

提供具有至少一材料层的一基材，其中该至少一材料层设置在该基材上；

形成一硬掩膜层于该至少一材料层上；

形成一第一成像层于该硬掩膜层上；

图案化该第一成像层，借此定义一终端裁切图案；

转移该终端裁切图案至该硬掩膜层上；

形成一第二成像层于以该终端裁切图案图案化的该硬掩膜层上；

图案化该第二成像层，借此定义一线性裁切图案；

转移该线性裁切图案至以该终端裁切图案图案化的该硬掩膜层；以及

转移该硬掩膜层的该终端裁切/该线性裁切图案至该至少一材料层。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，转移该硬掩膜层的该终端裁切/该线性裁切图案至该至少一材料层的步骤包含：

形成一或多个栅极结构的一线路。