[发明专利]非易失性半导体光折变存储器结构无效
| 申请号： | 201010211932.2 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101882623A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 宋俊峰;卢国强 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/792;H01L29/51 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉林省长*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 折变 存储器 结构 | ||
1.一种非易失性半导体光折变存储器结构，结构由光波导部分(100)和浮栅部分(200)构成，其特征在于：所述的光波导部分(100)，由半导体光波导(1)、在半导体光波导(1)上方的上绝缘体介质(4)和在半导体光波导(1)下方的下绝缘体介质(7)组成；所述的浮栅部分(200)，由制作在上绝缘体介质(4)内的导电材料的浮栅(2)、导电材料的控制栅(3)、导电介质(5)和成对的电极(6)组成；其中浮栅(2)的位置在控制栅(3)和导电介质(5)中间，相互之间由上绝缘体介质(4)隔离；一个电极(6)与控制栅(3)接触，另一个电极(6)与导电介质(5)接触；浮栅(2)与半导体光波导(1)相接触。
2.如权利要求1所述的非易失性半导体光折变存储器结构，其特征在于，所述的半导体光波导(1)，是条型光波导、脊型光波导或倒脊型光波导；半导体光波导(1)的材料，是Si、AlxGa1-xAs、InxGa1-xAsyP1-y中的一种。
3.如权利要求1或2所述的非易失性半导体光折变存储器结构，其特征在于，所述的导电材料和导电介质(5)，是N型半导体、P型半导体或金属材料中的一种；所述的上绝缘体介质(4)和下绝缘体介质(7)，是SiO2、SiC、高阻半导体或聚合物绝缘材料中的一种；所述的电极(6)，是Al、Cu、Au、Ag材料中的一种。
4.如权利要求1或2所述的非易失性半导体光折变存储器结构，其特征在于，所述的浮栅部分(200)有两个，其中的两个浮栅(2)与半导体光波导(1)相接触；两个导电介质(5)分别制作在各自的浮栅部分(200)内或是相互连通的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
