[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201010212353.X | 申请日: | 2010-06-28 |
公开(公告)号: | CN101950750A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 广濑笃志;宍户英明 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L23/60 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李雪春;武玉琴 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,在衬底上包括:
端子电极;
保护电路;
集成电路;以及
使所述端子电极、所述保护电路和所述集成电路电连接的布线,
其中,所述保护电路设置在所述端子电极和所述集成电路之间,
并且,所述端子电极、所述保护电路和所述集成电路不分支所述布线地彼此连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中电源电压施加到所述端子电极。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述保护电路包括二极管。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述保护电路包括半导体膜。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中使用相同的导电层形成所述端子电极和所述布线。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述半导体装置是光检测装置。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述半导体装置安装在选自由移动电话、计算机、显示装置及数码相机构成的组中的电子设备中。
8.一种半导体装置,至少包括:
第一端子电极;
第二端子电极;
第一布线;
第二布线;
保护电路;以及
集成电路,
其中,所述第一端子电极通过所述第一布线电连接到所述集成电路的第一区,
所述第二端子电极通过所述第二布线电连接到所述集成电路的第二区,
位于所述第一端子电极和所述集成电路之间的所述第一布线的至少一部分不分支地电连接到所述保护电路的第一部分,
并且,位于所述第二端子电极和所述集成电路之间的所述第二布线的至少一部分不分支地电连接到所述保护电路的第二部分。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中电源电压施加到所述第一端子电极。
10.根据权利要求8所述的半导体装置,其中所述保护电路包括二极管。
11.根据权利要求8所述的半导体装置,其中所述保护电路包括半导体膜。
12.根据权利要求8所述的半导体装置,其中使用相同的导电层形成所述第一端子电极和所述第一布线。
13.根据权利要求8所述的半导体装置,其中所述半导体装置是光检测装置。
14.根据权利要求8所述的半导体装置,其中所述半导体装置安装在选自由移动电话、计算机、显示装置及数码相机构成的组中的电子设备中。
15.根据权利要求8所述的半导体装置,其中所述第一布线和所述第二布线彼此交叉。
16.一种半导体装置,至少包括:
第一端子电极;
第二端子电极;
第一布线;
第二布线;
电连接到所述第二布线的第三布线;
保护电路;以及
集成电路,
其中,所述第一端子电极通过所述第一布线电连接到所述集成电路的第一区,
所述第二端子电极通过所述第二布线电连接到所述集成电路的第二区,
位于所述第一端子电极和所述集成电路之间的所述第一布线的至少一部分不分支地电连接到所述保护电路的第一部分,
位于所述第二端子电极和所述集成电路之间的所述第二布线的至少一部分不分支地电连接到所述保护电路的第二部分,
并且,所述第一端子电极隔着绝缘膜重叠于所述第三布线。
17.根据权利要求16所述的半导体装置,其中电源电压施加到所述第一端子电极。
18.根据权利要求16所述的半导体装置,其中所述保护电路包括二极管。
19.根据权利要求16所述的半导体装置,其中所述保护电路包括半导体膜。
20.根据权利要求16所述的半导体装置,其中使用相同的导电层形成所述第一端子电极和所述第一布线。
21.根据权利要求16所述的半导体装置,其中所述半导体装置是光检测装置。
22.根据权利要求16所述的半导体装置,其中所述半导体装置安装在选自由移动电话、计算机、显示装置及数码相机构成的组中的电子设备中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的