[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板、显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括至少两个拼接区域，各拼接区域内的薄膜晶体管TFT图案中，漏极与栅极金属层均形成重叠区域，至少一个拼接区域内的TFT图案中，漏极从栅极金属层的第一边界延伸至与所述第一边界相对的第二边界的外部，所述漏极包括与所述栅极金属层形成的重叠区域以及延伸至所述栅极金属层第二边界外部的容余区域；各拼接区域内的重叠区域的面积差值小于阈值。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述容余区域在向所述第二边界外部延伸方向上的长度大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，各拼接区域内的所述重叠区域面积相等。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述重叠区域与所述容余区域所包围的图形为矩形。

5.一种薄膜晶体管液晶显示器，包括薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括至少两个拼接区域，各拼接区域内的薄膜晶体管TFT图案中，漏极与栅极金属层均形成重叠区域，至少一个拼接区域内的TFT图案中，漏极从栅极金属层的第一边界延伸至与所述第一边界相对的第二边界的外部，所述漏极包括与所述栅极金属层形成的重叠区域以及延伸至所述栅极金属层第二边界外部的容余区域；各拼接区域内的重叠区域的面积差值小于阈值。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，所述容余区域在向所述第二边界外部延伸方向上的长度大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，各拼接区域内的所述重叠区域面积相等。

8.根据权利要求5至7中任意一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述重叠区域与所述容余区域所包围的图形为矩形。

9.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板上的至少一个拼接区域内形成层叠的第一功能薄膜层，该第一功能薄膜层包括栅极金属层；

在所述第一功能薄膜层的上方形成源、漏极，以形成TFT图案，其中，所述拼接区域内的TFT图案中，漏极从栅极金属层的第一边界延伸至与所述第一边界相对的第二边界的外部，所述漏极包括与所述栅极金属层形成的重叠区域以及延伸至所述栅极金属层第二边界外部的容余区域；各拼接区域内漏极与栅极金属层形成的重叠区域的面积差值小于阈值；

在形成的TFT图案上方形成第二功能薄膜层，获得薄膜晶体管阵列基板。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述容余区域在向所述第二边界外部延伸方向上的长度大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

11.一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板上的至少一个拼接区域内形成层叠的第一功能薄膜层，该第一功能薄膜层包括栅极金属层；

在所述第一功能薄膜层的上方形成源、漏极，以形成TFT图案，其中，所述拼接区域内的TFT图案中，漏极从栅极金属层的第一边界延伸至与所述第一边界相对的第二边界的外部，所述漏极包括与所述栅极金属层形成的重叠区域以及延伸至所述栅极金属层第二边界外部的容余区域；各拼接区域内漏极与栅极金属层形成的重叠区域的面积差值小于阈值；

在形成的TFT图案上方形成第二功能薄膜层，获得薄膜晶体管阵列基板；

将所述薄膜晶体管阵列基板与已形成的对向彩膜基板贴合，进入后续制程，形成薄膜晶体管液晶显示器。