[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板、显示器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板、显示器及其制造方法。

背景技术

信息化社会越来越需要轻薄便携式的显示设备，目前比较成熟的产品是TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)液晶显示器。

TFT液晶显示器主要是由TFT阵列基板、对向彩膜基板以及夹在两基板中间的液晶层构成。其中，TFT阵列基板主要包括玻璃基板，和在玻璃基板上层叠设置的栅极金属层、栅绝缘层、半导体层、源漏极金属层、绝缘膜保护层和透明像素层等。TFT阵列基板的制造过程是通过多次曝光、显影和刻蚀，将掩模版上的图案转至基板上的，从而形成了各种元件的图案。

为了满足大显示面积的需求，TFT液晶显示器面板的尺寸越来越大，使TFT阵列基板的制作过程也越发复杂。为了增大TFT阵列基板的尺寸，掩模版的尺寸也需要随之增大，但是由于曝光机对掩模版尺寸的限定，以及大尺寸掩模版存在制造困难、成本过高、日常存放使用不便等问题，使得在制造TFT阵列基板时，需要将大尺寸的阵列基板划分成若干区域，分别制作各区域对应的掩模版，在制造时用这些掩模版分别曝光，最终拼合成大尺寸的TFT阵列基板。

然而，发明人在研究过程中发现，当采用上述方法制造的TFT阵列基板形成TFT液晶显示器后，在通电工作时，各图案拼接区域经常出现显示亮度存在明显差异的现象，这种差异是由于拼合曝光产生的，称为曝光姆拉现象。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板、显示器及其制造方法，能够减弱各拼接区域的显示亮度差异。

为了解决上述技术问题，本发明实施例的技术方案如下：

一种薄膜晶体管阵列基板，包括至少两个拼接区域，各拼接区域内的薄膜晶体管TFT图案中，漏极与栅极金属层均形成重叠区域，至少一个拼接区域内的TFT图案中，漏极从栅极金属层的第一边界延伸至与所述第一边界相对的第二边界的外部，所述漏极包括与所述栅极金属层形成的重叠区域以及延伸至所述栅极金属层第二边界外部的容余区域；各拼接区域内的重叠区域的面积差值小于阈值。

进一步，所述容余区域在向所述第二边界外部延伸方向上的长度大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

进一步，各拼接区域内的所述重叠区域面积相等。

进一步，所述重叠区域与所述容余区域所包围的图形为矩形。

一种薄膜晶体管液晶显示器，包括薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括至少两个拼接区域，各拼接区域内的薄膜晶体管TFT图案中，漏极与栅极金属层均形成重叠区域，至少一个拼接区域内的TFT图案中，漏极从栅极金属层的第一边界延伸至与所述第一边界相对的第二边界的外部，所述漏极包括与所述栅极金属层形成的重叠区域以及延伸至所述栅极金属层第二边界外部的容余区域；各拼接区域内的重叠区域的面积差值小于阈值。

进一步，所述容余区域在向所述第二边界外部延伸方向上的长度大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

进一步，各拼接区域内的所述重叠区域面积相等。

进一步，所述重叠区域与所述容余区域所包围的图形为矩形。

一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：

在玻璃基板上的至少一个拼接区域内形成层叠的第一功能薄膜层，该第一功能薄膜层包括栅极金属层；

在所述第一功能薄膜层的上方形成源、漏极，以形成TFT图案，其中，所述拼接区域内的TFT图案中，漏极从栅极金属层的第一边界延伸至与所述第一边界相对的第二边界的外部，所述漏极包括与所述栅极金属层形成的重叠区域以及延伸至所述栅极金属层第二边界外部的容余区域；各拼接区域内漏极与栅极金属层形成的重叠区域的面积差值小于阈值；

在形成的TFT图案上方形成第二功能薄膜层，获得薄膜晶体管阵列基板。

进一步，所述容余区域在向所述第二边界外部延伸方向上的长度大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，包括：

在玻璃基板上的至少一个拼接区域内形成层叠的第一功能薄膜层，该第一功能薄膜层包括栅极金属层；

在所述第一功能薄膜层的上方形成源、漏极，以形成TFT图案，其中，所述拼接区域内的TFT图案中，漏极从栅极金属层的第一边界延伸至与所述第一边界相对的第二边界的外部，所述漏极包括与所述栅极金属层形成的重叠区域以及延伸至所述栅极金属层第二边界外部的容余区域；各拼接区域内漏极与栅极金属层形成的重叠区域的面积差值小于阈值；

在形成的TFT图案上方形成第二功能薄膜层，获得薄膜晶体管阵列基板；