[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

提供半导体衬底；

在所述衬底上形成界面层、栅介质层和金属功函数层；

在所述金属功函数层上形成扩散阻挡层；

在所述扩散阻挡层上形成金属吸氧层；

对所述器件进行热退火处理，以使所述金属吸氧层吸除界面层中的氧，使界面层的厚度减小并且使所述扩散阻挡层阻止金属吸氧层中的吸氧金属扩散到所述金属功函数层中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述扩散阻挡层包括：金属氮化物、金属碳化物或其组合。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述扩散阻挡层从包含下列元素的组中选择元素来形成：TiN、TaN、HfN、WN、WCN、HfC、TaC、TiC或其组合。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述扩散阻挡层的厚度为1-20nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属吸氧层从包含下列元素的组中选择元素来形成：Ti、Hf、Al、Be、La、Y或其组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属吸氧层的厚度为1-10nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述热退火处理的温度为300-800℃。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述热退火处理的时间为1-300s。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅介质层从包含下列元素的组中选择元素来形成：HfO₂、HfSiO_x、HfZrO_x、HfLaO_x、HfLaON_x、LaAlO_x、La₂O₃或其组合。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属功函数层从包含下列元素的组中选择元素来形成：HfN、TiN、TaN、MoN、TiAlN、MoAlN、HfCN_x、HfC、TiC、TaC、Ru、Re、Pt、RuO₂、TaRu_x、HfRu或其组合。