[发明专利]对非易失性存储器器件进行编程的方法

权利要求书

1.一种对非易失性存储器器件进行编程的方法，其中，所述非易失性存储器器件具有存储器单元并且每个存储器单元具有第一和第二阈值电压分布中的一个，所述方法包括：

初始数据设定步骤，向将被编程为具有第二阈值电压分布的存储器单元所耦合的页缓冲器的第一锁存器输入用于禁止编程的数据；

第一编程和验证步骤，执行编程和验证操作；

第一数据设定步骤，在N是自然数的情况下，当编程脉冲被提供了超过N次时，向将被编程为具有第二阈值电压分布的存储器单元所耦合的页缓冲器的第一锁存器输入用于执行编程操作的数据；以及

第二编程和验证步骤，执行编程和验证操作。

2.如权利要求1所述的方法，其中，具有第一阈值电压分布的存储器单元的阈值电压小于具有第二阈值电压分布的存储器单元的阈值电压。

3.如权利要求1所述的方法，其中，当在第一编程和验证步骤中执行所述验证操作时，不对将被编程为具有第二阈值电压分布的存储器单元执行所述验证操作。

4.如权利要求3所述的方法，其中，当在第二编程和验证步骤中执行所述验证操作时，对将被编程为具有第一阈值电压分布的存储器单元和将被编程为具有第二阈值电压分布的存储器单元顺序执行所述验证操作。

5.一种对非易失性存储器器件进行编程的方法，其中，所述非易失性存储器器件具有存储器单元并且每个存储器单元具有第一至第四阈值电压分布中的一个，所述方法包括：

初始数据设定步骤，向将被编程为具有第三和第四阈值电压分布的存储器单元所耦合的页缓冲器的第一锁存器输入用于禁止编程的数据；

第一编程和验证步骤，执行编程和验证操作；

第一数据设定步骤，在N是自然数的情况下，当编程脉冲被提供了超过N次时，向将被编程为具有第三阈值电压分布的存储器单元所耦合的页缓冲器的第一锁存器输入用于执行编程操作的数据；

第二编程和验证步骤，执行编程和验证操作；

第二数据设定步骤，在M＞N且M是自然数的情况下，当所述编程脉冲被提供了超过M次时，向将被编程为具有第四阈值电压分布的存储器单元所耦合的页缓冲器的第一锁存器输入用于执行编程操作的数据；以及

第三编程和验证步骤，执行编程和验证操作。

6.如权利要求5所述的方法，其中：

将被编程为具有第一阈值电压分布的存储器单元处于擦除状态，

被编程为具有第三阈值电压分布的存储器单元的阈值电压高于被编程为具有第二阈值电压分布的存储器单元的阈值电压，并且

被编程为具有第四阈值电压分布的存储器单元的阈值电压高于被编程为具有第三阈值电压分布的存储器单元的阈值电压。

7.如权利要求6所述的方法，其中，初始数据设定步骤包括以下步骤：

根据来自第一至第四阈值电压分布的、将被编程的数据的特定阈值电压分布，输入将被编程的数据到第一锁存器，并且将数据输入到页缓冲器的第二和第三锁存器；以及

响应于第二和第三锁存器的数据状态，改变第一锁存器的数据状态。

8.如权利要求7所述的方法，其中，根据第二和第三锁存器的数据状态改变第一锁存器的数据状态的步骤包括以下步骤：

对页缓冲器的感测节点进行预充电；

响应于第二锁存器的第一节点的数据状态使所述感测节点放电，响应于第三锁存器的第一节点的数据状态使所述感测节点放电，并且随后响应于所述感测节点的电压电平改变第一锁存器的数据；以及

响应于第二锁存器的第二节点的数据状态使所述感测节点放电，响应于第三锁存器的第一节点的数据状态使所述感测节点放电，并且随后响应于所述感测节点的电压电平改变第一锁存器的数据。

9.如权利要求8所述的方法，其中，第一数据设定步骤包括以下步骤：

对所述感测节点进行预充电；以及

响应于第二锁存器的第一节点的数据状态使所述感测节点放电，响应于第三锁存器的第一节点的数据状态使所述感测节点放电，并且随后响应于所述感测节点的电压电平改变第一锁存器的数据。