[发明专利]对非易失性存储器器件进行编程的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求在2009年6月29日提交的韩国专利申请号10-2009-0058488的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

示例性实施例涉及一种对非易失性存储器器件进行编程的方法。

背景技术

存在对能够被电编程和电擦除并且在即使没有供电的情况下也能够保持其数据的非易失性存储器器件的日益增加的需要。此外，期望高度集成的并且能够存储大量数据的高容量存储器器件。该非易失性存储器器件可以例如是串行耦合在一起以形成一个单元串的多个存储器单元，其中每个存储器单元阵列包括多个单元串。

非易失性存储器器件的每个单元串具有如下结构，其中多个存储器单元耦合在位线和源线之间。通过该串结构，可以减少位线和源线之间的接触的数量并且可以使存储器单元的尺寸是小的，由此实现高容量存储器。然而，该串结构带来了如下顾虑，其中由于存储器单元的单元电流随着存储器单元的尺寸的减小而变得更小，因此访问速度是低的。

在多电平单元中，不同于典型的存储器器件，非易失性存储器器件的一个存储器单元可以存储2位或更多位的数据(即，多电平形式)。即，存储器单元可以通过控制在存储器单元的浮栅处捕获的电荷量而具有阈值电压的多个分布，使得存储各种状态的数据。由于该多电平单元(MLC)编程方法可以使存储器单元的存储器容量显著增加，因此正被广泛使用。在多电平单元(MLC)编程方法中，两个或更多个逻辑页的数据被编程到一个物理页中。然而，由于数个逻辑页的数据被编程到一个物理页中，因此为执行编程操作而花费的时间是相对长的并且执行编程操作的过程是相对复杂的。此外，随着阈值电压分布的数量的增加，阈值电压的分布之间的宽度变窄。因此，减少了读取裕量，这带来了关于准确读取数据的顾虑。

发明内容

示例性实施例涉及一种对非易失性存储器器件进行编程的方法，其通过在被编程为具有高阈值电压的存储器单元中，在编程电压上升到某个电压电平之前不提供编程电压，能够减少因编程操作期间的位线放电而出现的电流消耗、编程验证操作次数、以及总编程时间。

根据本公开的方面，提供了一种对非易失性存储器器件进行编程的方法，使得存储器单元具有第一和第二阈值电压分布中的一个。该方法包括：初始数据设定步骤，向将被编程为具有第二阈值电压分布的存储器单元所耦合的页缓冲器的第一锁存器输入用于禁止编程的数据；第一编程和验证步骤，执行编程和验证操作；第一数据设定步骤，当编程脉冲被提供了超过N次(其中N是自然数)时，向将被编程为具有第二阈值电压分布的存储器单元所耦合的页缓冲器的第一锁存器输入用于执行编程操作的数据；以及第二编程和验证步骤，执行编程和验证操作。

根据本公开的另一方面，提供了一种对非易失性存储器器件进行编程的方法，其中非易失性存储器器件具有存储器单元并且每个存储器单元具有第一至第四阈值电压分布中的一个。该方法包括：初始数据设定步骤，向将被编程为具有第三和第四阈值电压分布的存储器单元所耦合的页缓冲器的第一锁存器输入用于禁止编程的数据；第一编程和验证步骤，执行编程和验证操作；第一数据设定步骤，当编程脉冲被提供了超过N次(其中N是自然数)时，向将被编程为具有第三阈值电压分布的存储器单元所耦合的页缓冲器的第一锁存器输入用于执行编程操作的数据；第二编程和验证步骤，执行编程和验证操作；第二数据设定步骤，当编程脉冲被提供了超过M次(其中M＞N且M是自然数)时，向将被编程为具有第四阈值电压分布的存储器单元所耦合的页缓冲器的第一锁存器输入用于执行编程操作的数据；以及第三编程和验证步骤，执行编程和验证操作。