[发明专利]熔丝类晶圆修调参数的方法

权利要求书

1.一种熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，包括以下步骤：

初始化变量β和i，创建临时数据文件：所述变量i表示本批次熔丝类晶圆中的第i个集成电路，i＝0，1，2，……，L，L为本批次熔丝类晶圆所包含的集成电路的总个数，所述临时数据文件用于保存集成电路修整熔丝后参数的修调值，所述变量β和i的初始化值都为0；

i＝i+1；

判断i是否小于等于L，如果为是，执行下一步骤，如果为否，结束本批次熔丝类晶圆的参数修调；

测量第i个集成电路参数的初始值V_{init_i}；

判断所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数是否等于N，N取大于等于100而小于L的整数，如果为是，计算差值V_{trim_i}，V_{trim_i}＝V_{init_i}-V_target+β，β＝V_target-V_{ave_i}，V_{ave_i}等于所述临时数据文件中N个参数的修调值的平均值，如果为否，计算差值V_{trim_i}，V_{trim_i}＝V_{init_i}-V_target，其中，V_{init_i}为第i个集成电路参数的初始值，V_target为参数的目标值；

选择修调理论值最接近差值V_{trim_i}的熔丝组合作为要修整的熔丝组合，由熔断电路熔断相应的熔丝；

测量第i个集成电路参数的修调值，并判断该参数的修调值是否符合要求；

更新所述临时数据文件中的数据，返回上述i＝i+1的步骤。

2.如权利要求1所述的熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数小于等于N。

3.如权利要求1所述的熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，所述参数的目标值V_target为定值，N为定值。

4.如权利要求1所述的熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，若第i个集成电路参数的修调值符合要求，表明该集成电路为合格产品。

5.如权利要求1所述的熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，保存在所述临时数据文件中的参数的修调值是按照集成电路修调次序依次保存至所述临时数据文件中的。

6.如权利要求5所述的熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，当所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数等于N时，被保存的N个参数的修调值是正在进行参数修调的集成电路之前的N个集成电路参数的修调值。

7.如权利要求1或6所述的熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，所述更新所述临时数据文件中的数据具体包括以下步骤：

判断所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数是否小于N，如果为是，执行下述步骤：判断测得的第i个集成电路参数的修调值是否有效，如果是，将该参数的修调值保存至所述临时数据文件中，如果否，则不更新所述临时数据文件中的数据；如果否，执行下述步骤：判断测得的第i个集成电路参数的修调值是否有效，如果是，将该参数的修调值保存至所述临时数据文件中，并从所述临时数据文件中删除该参数的修调值之前的第N个参数的修调值，如果否，则不更新所述临时数据文件中的数据。

8.如权利要求7所述的熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，判断第i个集成电路参数的修调值是否有效的依据是该参数的修调值是否完整和异常。