[发明专利]熔丝类晶圆修调参数的方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶圆测试，尤其涉及一种熔丝类晶圆修调参数的方法。

背景技术

使用专门设备测试晶圆上的模拟集成电路或者混合集成电路时，经常需要对模拟集成电路或者混合集成电路的模拟部分修调参数。修调参数是修整熔丝以选择不同的内部电路，使参数达到目标范围，所以这类需要修调参数的晶圆称为熔丝类晶圆。

现有技术中，对熔丝类晶圆上的一个集成电路修调参数包括以下步骤：

步骤1，测量晶圆上的集成电路在修整熔丝前参数的初始值；

步骤2，选定要修整的熔丝组合，由熔断电路熔断相应的熔丝；

根据参数的初始值与参数的目标值之差的绝对值，选择要修整的熔丝组合，被选定的要修整的熔丝组合其修调理论值最接近参数的初始值与参数的目标值之差的绝对值；

步骤3，测量该集成电路在修整熔丝后参数的修调值，并判断该参数的修调值是否符合要求；

若该集成电路参数的修调值符合要求，表明该集成电路为合格产品；

对于特定的集成电路，所述参数的目标值、各熔丝组合的修调理论值是固定值，因此，选择要修整的熔丝组合由参数的初始值决定。

现有技术中，采用上述步骤对熔丝类晶圆上的每个集成电路修调参数，可见，合理选择要修整的熔丝组合对熔丝类晶圆的测试良率(一个熔丝类晶圆中，合格的集成电路数与总集成电路数之比)非常关键，为提高熔丝类晶圆的测试良率，要不断优化选择修整熔丝组合的方法。

在熔丝类晶圆的大规模生产测试中发现，由于参数的初始值分布曲线中心值的变化和各组熔丝组合误差的不同，现有技术存在同一批次不同晶圆之间的测试良率波动偏大，同一批次整体测试良率低的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种熔丝类晶圆修调参数的方法，动态调整要选择的熔丝组合，降低同一批次不同晶圆之间测试良率的波动，提高同一批次整体测试良率。

为了达到上述的目的，本发明提供一种熔丝类晶圆修调参数的方法，包括以下步骤：初始化变量β和i，创建临时数据文件：所述变量i表示本批次熔丝类晶圆中的第i个集成电路，i＝0，1，2，……，L，L为本批次熔丝类晶圆所包含的集成电路的总个数，所述临时数据文件用于保存集成电路修整熔丝后参数的修调值，所述变量β和i的初始化值都为0；i＝i+1；判断i是否小于等于L，如果为是，执行下一步骤，如果为否，结束本批次熔丝类晶圆的参数修调；测量第i个集成电路参数的初始值V_{init_i}；判断所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数是否等于N，N取大于等于100而小于L的整数，如果为是，计算差值V_{trim_i}，V_{trim_i}＝V_{init_i}-V_target+β，β＝V_target-V_{ave_i}，V_{ave_i}等于所述临时数据文件中N个参数的修调值的平均值，如果为否，计算差值V_{trim_i}，V_{trim_i}＝V_{init_i}-V_target，其中，V_{init_i}为第i个集成电路参数的初始值，V_target为参数的目标值；选择修调理论值最接近差值V_{trim_i}的熔丝组合作为要修整的熔丝组合，由熔断电路熔断相应的熔丝；测量第i个集成电路参数的修调值，并判断该参数的修调值是否符合要求；更新所述临时数据文件中的数据，返回上述i＝i+1的步骤。

上述熔丝类晶圆修调参数的方法，其中，所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数小于等于N。

上述熔丝类晶圆修调参数的方法，其中，所述参数的目标值V_target为定值，N为定值。

上述熔丝类晶圆修调参数的方法，其中，若第i个集成电路参数的修调值符合要求，表明该集成电路为合格产品。

上述熔丝类晶圆修调参数的方法，其中，保存在所述临时数据文件中的参数的修调值是按照集成电路修调次序依次保存至所述临时数据文件中的。

上述熔丝类晶圆修调参数的方法，其中，当所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数等于N时，被保存的N个参数的修调值是正在进行参数修调的集成电路之前的N个集成电路参数的修调值。