[发明专利]相变存储器存储单元底电极的制作方法

权利要求书

1.一种相变存储器存储单元底电极的制作方法，该方法包括：

在半导体衬底上依次沉积掺杂的多/非晶硅层和氮化硅层；所述掺杂的多/非晶硅层的含义为掺杂的多晶硅层或者掺杂的非晶硅层；

在氮化硅层的表面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，所述图案化的光阻胶层为圆柱形，用于定义各个存储单元的位置；

以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述氮化硅层形成图案化的圆柱形氮化硅层；

去除光阻胶层后，以图案化的圆柱形氮化硅层为掩膜，对掺杂的多/非晶硅层进行氧化形成具有第一预定宽度和第一预定深度的氧化硅层；所述第一预定深度的氧化硅层为掺杂的多/非晶硅层的高度；所述第一预定宽度的氧化硅层为各个存储单元底电极之间的缝隙；所述底电极位于圆柱形氮化硅层下方，为未氧化的圆柱形掺杂多/非晶硅层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除光阻胶层后，以图案化的圆柱形氮化硅层为掩膜，对掺杂的多/非晶硅层进行氧化形成具有第一预定宽度和第一预定深度的氧化硅层之前，该方法进一步包括：以图案化的圆柱形氮化硅层为掩膜，刻蚀掺杂的多/非晶硅层至第二预定深度和第二预定宽度的步骤；

所述第一预定宽度大于第二预定宽度，第一预定深度大于第二预定深度。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀掺杂的多/非晶硅层为各向同性刻蚀或者各向异性刻蚀；

所述各向同性刻蚀掺杂的多/非晶硅层的气体包括四氟化碳CF₄、六氟化硫SF₆或三氟化氮NF₃中的一种，或者几种的任意组合；

所述各向异性刻蚀掺杂的多/非晶硅层的气体包括CF₄、溴化氢HBr或氯气C1₂中的一种，或者几种的任意组合。

4.如权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述氧化为热氧化或者等离子辅助氧化的方法。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在沉积掺杂的多/非晶硅层和氮化硅层之间，该方法进一步包括对掺杂的多/非晶硅层进行氨气退火的步骤。