[发明专利]半导体器件精细图案的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件精细图案的制作方法，所述精细图案为相间排列的间隔和线，该方法包括：

在半导体衬底上依次沉积刻蚀目标层、多/非晶硅层和氮化硅层；所述多/非晶硅层的含义为多晶硅层或者非晶硅层；

在氮化硅层的表面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，定义精细图案的间隔；

以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述氮化硅层形成图案化的氮化硅层；

去除光阻胶层后，以图案化的氮化硅层为掩膜，对多/非晶硅层进行氧化形成具有第一预定宽度和第一预定深度的氧化硅层；

以所述图案化的氮化硅层为掩膜，各向异性刻蚀具有第一预定深度的氧化硅层至显露出多/非晶硅层；

去除所述图案化的氮化硅层后，显露出位于所述图案化的氮化硅层下的氧化硅层和未被氧化的多/非晶硅层，各向异性刻蚀多/非晶硅层至显露出刻蚀目标层；所述各向异性刻蚀多/非晶硅层的宽度为精细图案的间隔；

以显露出的氧化硅层为掩膜对刻蚀目标层进行刻蚀，形成精细图案；所述显露出的氧化硅层的宽度为精细图案的线；其中线和间隔相间排列，2倍的线宽加上间隔等于所述第一预定宽度。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除光阻胶层后，以图案化的氮化硅层为掩膜，对多/非晶硅层进行氧化形成具有第一预定宽度和第一预定深度的氧化硅层之前，该方法进一步包括：以图案化的氮化硅层为掩膜，刻蚀多/非晶硅层至第二预定深度和第二预定宽度的步骤；

所述第一预定宽度大于第二预定宽度，第一预定深度大于第二预定深度。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀多/非晶硅层为各向同性刻蚀或者各向异性刻蚀；

所述各向同性刻蚀多/非晶硅层的气体包括四氟化碳CF₄、六氟化硫SF₆或三氟化氮NF₃中的一种，或者几种的任意组合；

所述各向异性刻蚀多/非晶硅层的气体包括CF₄、溴化氢HBr或氯气Cl₂中的一种，或者几种的任意组合。

4.如权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述氧化为热氧化或者等离子辅助氧化的方法。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀多/非晶硅层至显露出刻蚀目标层的刻蚀气体包括溴化氢HBr或氯气Cl₂中的一种，或者两种的组合，该刻蚀气体对多/非晶硅层进行刻蚀的同时，不会刻蚀氧化硅层。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在沉积多/非晶硅层和氮化硅层之间，该方法进一步包括对多/非晶硅层进行氨气退火的步骤。