[发明专利]一种半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 201010218052.8 | 申请日： | 2010-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102299063A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 周儒领;李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：
a)提供前端器件层；
b)在所述前端器件层上沉积第一多晶硅层；
c)在所述第一多晶硅层上沉积多晶硅层间介质体；
d)在所述多晶硅层间介质体上沉积第二多晶硅层；
e)对所述第二多晶硅层进行刻蚀以形成控制栅；
f)在所述控制栅的侧壁上形成控制栅侧墙；
g)对所述第一多晶硅层进行刻蚀以形成浮栅；
h)在所述控制栅侧墙及所述浮栅的侧壁上形成浮栅侧墙；和
i)进行离子注入；
其中所述离子注入在所述浮栅侧墙形成之后进行。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述浮栅侧墙的厚度在150-250埃之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述浮栅侧墙的厚度为180-220埃之间。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述离子注入中采用的离子为硼离子。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述离子注入的能量为1～5Kev，注入的剂量为1×1012～1×1015cm-2。
6.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述离子注入的能量为2～3.5Kev，注入的剂量为1×1013～1×1014cm-2。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述离子注入中采用的物质为BF2。
8.一种包含通过根据权利要求1所述的方法制造的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路是随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式DRAM或射频电路。
9.一种包含通过根据权利要求1所述的方法制造的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备是台式计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机或数码相机。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
