[发明专利]半导体器件处理方法无效
| 申请号： | 201010218315.5 | 申请日： | 2010-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101958247A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 浜中信秋;笠间佳子 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 处理 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
在覆盖基板的绝缘膜上形成掩模；
从所述绝缘膜的第一区域去除所述掩模，同时在所述绝缘膜的第二区域中留下所述掩模；
在所述掩模遮蔽所述第二区域的同时使所述第一区域暴露到等离子体，以便通过随后的处理使所述第一区域更易于去除；
从所述第二区域去除所述掩模膜；
在所述第一区域和第二区域的每个中，形成至少一个金属互连；以及
选择性去除所述第一区域，以形成与所述第一区域中形成的金属互连相邻的空气空隙，同时保留所述第二区域。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选择性去除步骤包括：
在所述绝缘膜上形成扩散防止膜；
在覆盖所述第一区域的所述扩散防止膜的一部分中形成开口，以暴露所述第一区域；以及
通过蚀刻来去除暴露的第一区域。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述扩散防止膜是SiCN膜或SiC膜。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，暴露所述绝缘膜，使得所述开口的外周与所述第一区域和第二区域之间的边界之间的距离为0.5μm至1.0μm。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体是从选自由铵、氦、氖和氩组成的组中的气体来产生。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，使用包含氢氟酸或氢氟酸的盐的蚀刻溶液来选择性地去除所述第一区域。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘膜包括Si-O键和Si-C键。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：
在所述绝缘膜上形成互连层；以及
在所述互连层的上部区域中形成电极焊盘。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
