[发明专利]用于各向异性导电膜的热压缩脱模片及其制造方法

权利要求书

1.一种制造用于各向异性导电膜的热压缩脱模片的方法，所述方法包括：

制备片；

通过使用涂覆溶液在所述片上形成不光滑层，其中所述涂覆溶液包括至少一种有机化合物和微珠，且所述至少一种有机化合物选自由热固性有机化合物、UV固化型丙烯酸有机化合物和环氧有机化合物组成的组；

通过在所述不光滑层的表面上涂覆氟硅脱模剂或硅脱模剂来制造载体脱模膜；以及

在所述载体脱模膜上形成用于各向异性导电膜的热压缩脱模片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述用于各向异性导电膜的热压缩脱模片的形成包括：

在所述载体脱模膜上形成第一硅脱模层；

在所述第一硅脱模层上形成导热硅层；以及

在所述导热硅层上形成第二硅脱模层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述微珠是选自由玻璃、氧化钛(TiO₂)、硅石、氧化铝(Al₂O₃)、氧化锆(ZrO₂)、氧化锌(ZnO)和特氟隆组成的组的至少一种。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一硅脱模层的形成包括：

制备第一硅聚合物，其包括100重量份的具有160到100,000cP的粘度的以乙烯基为末端或以乙烯基为支链的聚二甲基硅氧烷，以及0.001到30重量份的以氢为末端或以氢为支链的聚二甲基硅氧烷；

通过下述方式来制造第一硅组合物：基于100重量份的所述第一硅聚合物而添加30到200重量份的选自由具有80到140m²/kg的BET表面积的硅石粉末、具有等于或小于10μm的大小的特氟隆粉末、金属氧化物和金属氮化物组成的组的至少一种；以及

将所述第一硅组合物直接施加在所述载体脱模膜上，或在溶剂中稀释所述第一硅组合物且随后施加在所述载体脱模膜上。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述导热硅层的形成包括：

制备第二硅聚合物，其由50％到99％重量的具有160到50,000cP的粘度的末端封端或带侧支链的聚二甲基乙烯基硅氧烷和1％到50％重量的乙烯基硅树脂组成；

通过下述方式来制造第二硅组合物：基于100重量份的所述第二硅聚合物而添加0.001到30重量份的以氢为末端或以氢为支链的聚二甲基硅氧烷、50到500重量份的选自由具有80到140m²/kg的BET表面积的硅石、金属、金属氧化物、金属碳化物和金属氮化物组成的组的至少一种和50到300重量份的选自由金属和导电碳组成的组的至少一种；

以及在所述第一硅脱模层上涂覆且热固化所述第二硅组合物。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二硅脱模层的形成包括：制备第三硅聚合物，其包括100重量份的具有160到70,000,000cP的粘度的以乙烯基为末端或以乙烯基为支链的聚二甲基硅氧烷，以及0.001到30重量份的以氢为末端或以氢为支链的聚二甲基硅氧烷；

通过下述方式来制造第三硅组合物：基于100重量份的所述第三硅聚合物而添加30到200重量份的选自由具有80到140m²/kg的BET表面积的硅石粉末、具有等于或小于10μm的大小的特氟隆粉末、金属氧化物和金属氮化物组成的组的至少一种；以及

将所述第三硅组合物直接施加在所述导热硅层上，或在溶剂中稀释所述第三硅组合物且随后施加在所述导热硅层上。