[发明专利]电路板及其制造方法无效
申请号: | 201010219273.7 | 申请日: | 2010-06-30 |
公开(公告)号: | CN102316675A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 陈旭东;张荣骞;张智明 | 申请(专利权)人: | 相互股份有限公司 |
主分类号: | H05K1/18 | 分类号: | H05K1/18;H05K1/02;H05K3/38 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 中国台湾台北县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电路板 及其 制造 方法 | ||
1.一种电路板,其特征在于,包含:
一绝缘基板,具有一指环型凹槽及由所述指环型凹槽所定义的一岛状部分及一外围部分;
一嵌入元件置于所述指环型凹槽中;
一绝缘填胶覆盖所述嵌入元件并填满所述指环型凹槽;
一上电镀布线层位于所述绝缘基板上方及一下电镀布线层位于所述绝缘基板下方;
一上粗糙介电层介于所述绝缘基板与所述上电镀布线层之间,用以强化所述绝缘基板与所述上电镀布线层的连结;
一下粗糙介电层介于所述绝缘基板与所述下电镀布线层之间,用以强化所述绝缘基板与所述下电镀布线层的连结,所述上粗糙介电层及所述下粗糙介电层的表面的中心线平均粗糙度范围为0.5μm至2.0μm;
一内电通孔垂直穿透所述岛状部分并电连接所述上电镀布线层及所述下电镀布线层;及
一外电通孔垂直穿透所述外围部分并电连接上电镀布线层及所述下电镀布线层,其中所述内电通孔、所述外电通孔、所述上电镀布线层及所述下电镀布线层形成一导电线圈环绕所述嵌入元件。
2.根据权利要求1所述的电路板,其特征在于,所述上粗糙介电层或所述下粗糙介电层含有一高分子,所述高分子具有至少两种分子量分布。
3.根据权利要求1所述的电路板,其特征在于,所述上粗糙介电层及所述下粗糙介电层的表面具有多个微孔洞,所述上电镀布线层及所述下电镀布线层是沿所述多个微孔洞所形成的高低起伏表面成长而成。
4.根据权利要求1所述的电路板,其特征在于,所述上电镀布线层或所述下电镀布线层的的剥离强度可达3.0lb/in以上,于288℃的锡炉耐热性可达10sec/cycle。
5.一种电路板,其特征在于,包含:
一绝缘基板,具有一指环型凹槽及由所述指环型凹槽所定义的一岛状部分及一外围部分;
一嵌入元件置于所述指环型凹槽中;
一上电镀布线层位于所述绝缘基板上方及一下电镀布线层位于所述绝缘基板下方;
一绝缘层位于所述上电镀布线层与所述绝缘基板之间;
一上粗糙介电层介于所述绝缘层与所述上电镀布线层之间,用以强化所述绝缘层与所述上电镀布线层的连结;
一下粗糙介电层介于所述绝缘基板与所述下电镀布线层之间,用以强化所述绝缘基板与所述下电镀布线层的连结,所述上粗糙介电层及所述下粗糙介电层的表面的中心线平均粗糙度范围为0.5μm至2.0μm;
一内电通孔垂直穿透所述岛状部分并电连接所述上电镀布线层及所述下电镀布线层;及
一外电通孔垂直穿透所述外围部分并电连接上电镀布线层及所述下电镀布线层,其中所述内电通孔、所述外电通孔、所述上电镀布线层及所述下电镀布线层形成一导电线圈环绕所述嵌入元件。
6.根据权利要求5所述的电路板,其特征在于,所述上粗糙介电层及所述下粗糙介电层的表面具有多个微孔洞,所述上电镀布线层及所述下电镀布线层是沿所述多个微孔洞所形成的高低起伏表面成长而成。
7.一种电路板的制造方法,其特征在于,包含:
提供一绝缘基板,所述绝缘基板预先定义一指环型区域,一岛状部分及一外围部分;
形成一指环型凹槽于所述绝缘基板的所述指环型区域中;
置放一嵌入元件于所述指环型凹槽并使一绝缘填胶覆盖所述嵌入元件并填满所述指环型凹槽;
形成一上粗糙介电层及一下粗糙介电层分别覆盖所述绝缘基板的上方与下方,所述上粗糙介电层及所述下粗糙介电层的表面的中心线平均粗糙度范围为0.5μm至2.0μm;
电镀形成一内电通孔垂直穿透所述岛状部分及一外电通孔垂直穿透所述外围部分;
电镀形成一上电镀布线层于所述上粗糙介电层表面上及一下电镀布线层位于所述下粗糙介电层表面上;
使所述内电通孔、所述外电通孔、所述上电镀布线层及所述下电镀布线层电连接以构成一导电线圈环绕所述嵌入元件。
8.根据权利要求7所述的电路板的制造方法,其特征在于,形成所述上粗糙介电层及所述下粗糙介电层的步骤包含:
将含至少两种分子量分布的高分子的胶体,以贴合或涂布方式,形成于绝缘基板的上下表面,然后再进行烘烤,以形成一上凹凸介电层及一下凹凸介电层;
以药水侵蚀所述上凹凸介电层及所述下凹凸介电层以形成所述上粗糙介电层及所述下粗糙介电层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于相互股份有限公司,未经相互股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010219273.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种2,2’-联吡啶-4,4’-二甲酸的制备方法
- 下一篇:车载多功能桌