[发明专利]测量电阻值的方法及电路

权利要求书

1.一种用于半导体芯片的方法，该半导体芯片具有与一电阻性装置电性耦接的一第一电路，包括：

由该半导体芯片的外部对该第一电路施加一外部输入电压以产生该半导体芯片外部的一外部输出电压；以及

判断该电阻性装置的一逻辑态依据该外部输出电压的一逻辑态。

2.如权利要求1所述的用于半导体芯片的方法，还包括：

利用该外部输入电压以产生该半导体芯片内部的一电压与一电流；

将该半导体芯片内部所产生的该电压与该电流传输出该半导体芯片的外部；以及

依照传输至该半导体芯片外部的该电压与该电流判断一参考电阻值。

3.如权利要求1所述的用于半导体芯片的方法，还包括：

利用该外部输入电压的多个值以取得该参考电阻值的多个对应值；以及

依据该参考电阻值的多个对应值判断多个该电阻性装置的逻辑态以取得该电阻性装置的一电阻值。

4.如权利要求1所述的用于半导体芯片的方法其中该电阻性装置是一存储器单元的电熔丝。

5.如权利要求1所述的用于半导体芯片的方法，还包括由该外部输入电压产生一第一电压与一第二电压，并依照该第一电压与该第二电压判断该外部输出电压的该逻辑态。

6.如权利要求5所述的用于半导体芯片的方法还包括：

由该第一电压产生流经该电阻性装置的一第一电流；

由该第二电压产生一第二电流；

由该第一电流与该电阻性装置的一电阻值产生一第三电压并产生一第三电流；以及依照该第二电流与该第三电流判断该外部输出电压的该逻辑态。

7.如权利要求1所述的用于半导体芯片的方法还包括：

利用该外部输入电压以产生一第一电流；

将该第一电流镜射成一第二电流与一第三电流；该第二电流流经具有该电阻性装置的一电流路径；

将该第三电流镜射成一第四电流；

利用该电流路径上的一电压产生一第五电流；以及

依据该第四电流与该第五电流判断该外部输出电压的该逻辑态。

8.如权利要求1所述的用于半导体芯片的方法，还包括利用一第二电路补偿该电阻性装置造成的漏电流；该第二电路耦接至该第一电路，并与具有该电阻性装置的一第三电路相容。

9.一种电路，包括：

一第一子电路，用以接收一输入电压，并产生一第一电压与一第二电压，该第一电压产生流经一电阻性装置的一第一电流，而该第二电压产生该第二电流；

一节点，电性耦接至该电阻性装置，并具有一第三电压，该第三电压产生一第三电流；以及

一第二子电路，用以产生一第四电压，其具有一逻辑态，表示该电阻性装置的逻辑态。

10.如权利要求9所述的电路，其中该电路的元件皆在一半导体芯片的内部，而该输入电压与该第四电压皆在该半导体芯片的外部；其中该电路还包括：

一第三子电路，用以将该第一电压与该第一电流传输至该半导体芯片的外部；

一第一电流镜，该第三子电路用以由该输入电压产生一第四电流，而该第一电流镜用以将该第四电流镜射成该第一电流；

一第二电流镜，用以将该第四电流镜射成一第五电流，该第五电流是流经该第二电压的一节点；以及

一第三电流镜，用以将该第五电流镜射成该第二电流，

其中该电阻性装置是一存储器的一电熔丝。