[发明专利]寄生晶闸管以及静电保护电路

权利要求书

1.一种寄生晶闸管，其特征在于，包括：

半导体衬底；位于半导体衬底内且相邻的N阱以及P阱；位于半导体衬底表面且横跨于N阱以及P阱的第一伪栅；位于N阱表面的第二伪栅；位于第一伪栅以及第二伪栅之间N阱内的N型触发电压调整区；位于第二伪栅相对于N型触发电压调整区另一侧N阱内的P型注入区；位于第一伪栅另一侧P阱内的N型注入区；

还包括阳极，连接至P型注入区以及N阱；阴极，连接至N型注入区以及P阱。

2.如权利要求1所述的寄生晶闸管，其特征在于，所述N阱的表面区域内还包括N型连接区，所述N阱通过N型连接区与阳极连接。

3.如权利要求2所述的寄生晶闸管，其特征在于，所述N型连接区与P型注入区通过浅沟槽绝缘隔离。

4.如权利要求1所述的寄生晶闸管，其特征在于，所述P阱的表面区域内还包括P型连接区，所述P阱通过P型连接区与阴极连接。

5.如权利要求4所述的寄生晶闸管，其特征在于，所述P型连接区与N型注入区通过浅沟槽绝缘隔离。

6.一种静电保护电路，其特征在于，包括：发射极与第一端相连，集电极通过第一寄生电阻与第二端相连的PNP管；集电极通过第二寄生电阻与第一端相连，发射极与第二端相连的NPN管；所述PNP管与NPN管的基极分别连接至对方的集电极；与所述PNP管的基极相连的触发电压调整电路，当第一端以及第二端之间产生瞬时电势差时，所述触发电压调整电路降低PNP管的基极电位。

7.如权利要求6所述的静电保护电路，其特征在于，所述触发电压调整电路包括RC耦合回路，所述RC耦合回路的电阻端连接至第一端，电容端连接至第二端，RC耦合节点连接至PNP管的基极。

8.如权利要求6所述的静电保护电路，其特征在于，所述触发电压调整电路包括RC耦合回路以及CMOS反相器电路，所述RC耦合回路的电阻端连接第二端，电容端连接第一端，RC耦合节点连接至CMOS反相器电路的输入端；所述CMOS反相器电路的PMOS高位端连接至第一端，NMOS低位端连接至第二端，输出端连接至PNP管的基极。

9.如权利要求6所述的静电保护电路，其特征在于，将所述第二端接地，第一端连接至需要静电保护的外部电路。