[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示装置，包括：

包括发光区和非发光区的基板；

布置在所述基板上的缓冲层；

布置在所述缓冲层上非发光区中的半导体层；

布置在所述基板整个表面上的栅绝缘层；

布置在所述栅绝缘层上发光区中的第一电极；

布置在所述栅绝缘层上非发光区中的栅极；

布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的夹层绝缘层；

布置在所述夹层绝缘层上并电连接所述半导体层和所述第一电极的源极和漏极；

布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的保护层；

布置在所述第一电极上的有机层；和

布置在所述基板整个表面上的第二电极。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第一电极由透明导电氧化物类材料构成。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中所述栅绝缘层由包括氧化硅层和氮化硅层的多层构成。

4.如权利要求1所述的显示装置，其中所述栅绝缘层包括依次堆叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。

5.如权利要求4所述的显示装置，其中所述第一和第二氧化硅层以及所述氮化硅层中的每个层具有范围内的厚度。

6.如权利要求1所述的显示装置，其中所述缓冲层是单层或多层。

7.如权利要求1所述的显示装置，其中所述缓冲层包括选自由SiO₂、SiN_x、TiO₂、HfO₂、Al₂O₃、SiO_x、Ta₂O₅、Nb₂O₅、ZrO₂、Y₂O₃、La₂O₃或氧化铝锌组成的组中的一种化合物。

8.一种有机发光二极管显示装置，包括：

包括发光区和非发光区的基板；

布置在所述基板上的缓冲层；

布置在所述缓冲层上非发光区中的半导体层；

布置在所述基板整个表面上的栅绝缘层；

布置在所述栅绝缘层上发光区中的第一电极；

布置在所述栅绝缘层上非发光区中的栅极；

布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的夹层绝缘层；

布置在所述夹层绝缘层上并电连接所述半导体层和所述第一电极的源极和漏极；

布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的保护层；

布置在所述第一电极上的有机层；和

布置在所述基板整个表面上的第二电极，

其中接触层被插入在所述第一电极与所述源极和漏极之间。

9.如权利要求8所述的显示装置，其中所述第一电极由透明导电氧化物类材料构成。

10.如权利要求8所述的显示装置，其中所述栅绝缘层由包括氧化硅层和氮化硅层的多层构成。

11.如权利要求8所述的显示装置，其中所述栅绝缘层包括依次堆叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。

12.如权利要求11所述的显示装置，其中所述第一和第二氧化硅层以及所述氮化硅层中的每个层具有范围内的厚度。

13.如权利要求8所述的显示装置，其中所述缓冲层是单层或多层。

14.如权利要求8所述的显示装置，其中所述缓冲层包括选自由SiO₂、SiN_x、TiO₂、HfO₂、Al₂O₃、SiO_x、Ta₂O₅、Nb₂O₅、ZrO₂、Y₂O₃、La₂O₃和氧化铝锌组成的组中的一种化合物。