[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010222030.9 申请日: 2010-07-05
公开(公告)号: CN101944537A 公开(公告)日: 2011-01-12
发明(设计)人: 金成虎;李一正;权度县;任忠烈;丁憙星;李树美 申请(专利权)人: 三星移动显示器株式会社
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L21/82
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 陈万青;王珍仙
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及OLED显示装置和制造所述OLED显示装置的方法,所述显示器可在发光工作期间使共振效应最大化,因此在底发光工作期间提高发光效率和颜色重现性。

背景技术

通常,有机发光二极管(OLED)显示装置可按以下原理运行。电子从电子注入电极(或阴极)注入发光层(EML),而空穴从空穴注入电极(阳极)注入EML。注入到EML中的空穴和电子在EML中再结合产生激子。因此,当激子从激发态转移至基态时,OLED显示装置能发光。基于上述理论且与常规液晶显示器(LCD)不同,OLED显示装置不需要额外的光源,由此降低显示装置的体积和重量。

根据以矩阵形状排列的N×M像素的驱动方式,OLED显示装置可分为无源矩阵(PM)型和有源矩阵(AM)型。虽然PM OLED显示装置用简单的制造方法来装配,但PM OLED显示装置会耗费大量能量,且在实现大尺寸显示器上具有技术局限。此外,PM OLED显示装置可具有较低的开口率和更多的互连。

另一方面,根据有机EML发光的方向,OLED显示装置可分为顶发光型或底发光型。向基板发光的底发光型OLED显示装置可采用反射电极或反射层与透明电极一起作为上电极,并用透明电极作为下电极。在用薄膜晶体管(TFT)的AM OLED显示装置的情况中,因为光不能透过TFT所在的部分,所以发射单元的面积会降低。相反地,向远离基板方向发光的顶发光型OLED显示装置可具有透明电极作为上电极,以及反射电极和透明电极作为下电极。因此,可增加光透过的面积,从而改进OLED显示装置的亮度。当前,对能够在单一基板上包含顶发光型和底发光型的双侧OLED显示装置给予了更多的关注。

然而,虽然在顶发光模式中可使用常规OLED显示装置而不会有任何问题,但在底发光模式中因有机层导致的透射率降低会妨碍获得高质量图像。

发明内容

本发明提供了有机发光二极管(OLED)显示装置和所述OLED显示装置的制造方法,所述OLED显示装置可在发光工作期间使共振效应最大化,因此在底发光工作期间或双侧发光工作期间提高发光效率和颜色重现性。

根据本发明的一个方面,提供了有机发光二极管(OLED)显示装置,其包括含发光区和非发光区的基板,布置在所述基板上的缓冲层,布置在所述缓冲层上非发光区中的半导体层,布置在所述基板整个表面上的栅绝缘层,布置在所述栅绝缘层上发光区中的第一电极,布置在所述栅绝缘层上非发光区中的栅极,布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的夹层绝缘层,布置在所述夹层绝缘层上并电连接所述半导体层和所述第一电极的源极和漏极,布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的保护层,布置在所述第一电极上的有机层,和布置在所述基板整个表面上的第二电极。

所述第一电极可包括透明导电氧化物(TCO)类材料。所述栅绝缘层可包括含氧化硅层和氮化硅层的多个层。所述栅绝缘层可包括依次堆叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。所述第一和第二氧化硅层以及所述氮化硅层中的每个层可具有范围内的厚度。所述缓冲层可由SiO2、SiNx、TiO2、HfO2、Al2O3、SiOx、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、La2O3或氧化铝锌(AZO)制成。

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