[发明专利]去嵌入的方法和装置

权利要求书

1.一种去嵌入的方法，包括：

形成具有一待测元件的一受测结构，上述待测元件嵌入上述受测结构之内，上述受测结构具有多个左测试焊盘和多个右测试焊盘，上述右测试焊盘和上述左测试焊盘耦接上述待测元件，上述待测元件将上述受测结构分成一左半结构和一右半结构，每一上述左半结构和上述右半结构均具有本征传输参数；

形成多个虚设受测结构，每一上述虚设受测结构均包括一左焊盘和一右焊盘；

测量上述受测结构和上述虚设受测结构的传输参数；以及

使用上述左半结构和上述右结构的本征传输参数与上述受测结构和上述虚设受测结构的上述传输参数，推导上述待测元件的本征传输参数。

2.如权利要求1所述的去嵌入的方法，其中上述形成上述受测结构的步骤用以使上述待测元件通过一第一传输线耦接上述左测试焊盘，上述待测元件通过一第二传输线耦接上述右测试焊盘，上述第一传输线和第二传输线分别具有一第一和第二长度，上述第一长度约等于上述第二长度，并且上述形成上述虚设受测结构的步骤形成一第一虚设受测结构、一第二虚设受测结构与一第三虚设受测结构，其中：

在上述第一虚设受测结构中，上述左焊盘通过一第三传输线耦接上述右焊盘，上述第三传输线具有一第三长度；

在上述第二虚设受测结构中，上述左焊盘通过一第四传输线耦接上述右焊盘，上述第四传输线具有一第四长度，上述第四长度约为上述第三长度的两倍；以及

在上述第三虚设受测结构中，上述左焊盘通过一第五传输线耦接上述右焊盘，上述第五传输线具有一第五长度，上述第五长度约等于上述第一、第二和第三长度的总和，其中上述第五传输线包括一第一、第二和第三区段，且上述第一区段的长度约等于上述第三长度和上述第四长度中之一，且上述第二区段的长度约等于上述第一长度，且上述第三区段的长度约等于上述第二长度。

3.如权利要求1所述的去嵌入的方法，其中上述推导上述待测元件的上述本征传输参数的步骤包括使用公式[A]＝[Left_half]^-1*[A’]*[Right_half]^-1计算上述待测元件的上述本征传输参数，其中[A]、[Left_half]、[A’]和[Right_half]均为ABCD矩阵形式，并且其中：

[A]代表上述待测元件的上述本征传输参数；

[A’]代表上述受测结构的上述传输参数；

[Left_half]代表左半结构的上述本征传输参数；以及

[Right_half]代表右半结构的上述本征传输参数。

4.如权利要求3所述的去嵌入的方法，其中上述推导上述待测元件的上述本征传输参数的步骤还包括使用公式[Thru]＝[TL_left1]*[Left_half]*[P_left]^-1*[Right_half]计算[Left_half]和[Right_half]，其中[Thru]、[P_left]和[TL_left1]均为ABCD矩阵形式，并且其中：

[Thru]代表上述第三虚设受测结构的上述传输参数；

[P_left]代表上述受测结构的上述左测试焊盘之一的上述本征传输参数，与上述虚设受测结构之一的上述左焊盘的上述本征传输参数；以及

[TL_left1]代表乘以[P_right]^-1的(上述第一、第二和第三虚设受测结构之一的上述传输参数)，[P_right]^-1代表上述受测结构的上述右测试焊盘之一的上述本征传输参数的反矩阵，与上述虚设受测结构之一的上述右焊盘的上述本征传输参数的反矩阵。