[发明专利]触压装置、透明扫描电极及其制造方法

权利要求书

1.一种透明扫描电极结构，包括：

一第一透明扫描电极，包括：

一第一低电阻区；

一第一高电阻区，该第一高电阻区的电阻值大于该第一低电阻区；

一第二透明扫描电极；以及

一绝缘层，位于该第一透明扫描电极及该第二透明扫描电极之间。

2.根据权利要求1所述的透明扫描电极结构，其中该第一透明扫描电极还包括一接触电极，与该第一高电阻区连接，并用以接触该第二透明扫描电极。

3.根据权利要求2所述的透明扫描电极结构，还包括一凸点，设置在该接触电极。

4.根据权利要求1所述的透明扫描电极结构，其中该第一高电阻区的电阻值为该第一低电阻区的10至1000倍区间。

5.根据权利要求1所述的透明扫描电极结构，其中该第一高电阻区包括一几何弯曲状电极。

6.根据权利要求5所述的透明扫描电极结构，其中该几何弯曲状电极自该第一低电阻区向外延伸并连续弯折以拉长电极路径长度。

7.根据权利要求1所述的透明扫描电极结构，其中该第一高电阻区的电极长度与电极宽度的比值为一预设值，该预设值使得该第一高电阻区的电阻值大于该第一低电阻区。

8.根据权利要求1所述的透明扫描电极结构，其中该第一高电阻区被掺杂异质导电材料或高分子导电材料。

9.根据权利要求1所述的透明扫描电极结构，其中该第二透明电极包括：

一第二低电阻区；以及

一第二高电阻区，该第二高电阻区的电阻值大于该第二低电阻区。

10.根据权利要求9所述的透明扫描电极结构，其中该第二透明扫描电极还包括一接触电极，与该第二高电阻区连接，并用以接触该第一透明扫描电极。

11.根据权利要求10所述的透明扫描电极结构，还包括一凸点，设置在该接触电极。

12.根据权利要求9所述的透明扫描电极结构，其中该第二高电阻区的电阻值为该第二低电阻区的10至1000倍区间。

13.根据权利要求9所述的透明扫描电极结构，其中该第二高电阻区包括一几何弯曲状电极。

14.根据权利要求13所述的透明扫描电极结构，其中该几何弯曲状电极自该第二低电阻区向外延伸并连续弯折以拉长该第二透明扫描电极的路径长度。

15.根据权利要求9所述的透明扫描电极结构，其中该第二高电阻区的电极长度与电极宽度的比值，为一预设值，该预设值使得该第二高电阻区的电阻值大于该第二低电阻区。

16.根据权利要求9所述的透明扫描电极结构，其中该第二高电阻区被掺杂异质导电材料或高分子导电材料。

17.根据权利要求1所述的透明扫描电极结构，其中该第一透明扫描电极还包括：

一第二高电阻区，与该第一高电阻区串联。

18.一种触压装置，包括：

一触压面板，包括：

多个第一透明扫描电极，各该些第一透明扫描电极包括：

一第一低电阻区；

一第一高电阻区，该第一高电阻区的电阻值大于该第一低电阻区；

多个第二透明扫描电极；以及

一绝缘层，位于该些第一透明扫描电极及该些第二透明扫描电极之间；以及

一处理单元，用以依序扫描驱动该些第一透明扫描电极及该些第二透明扫描电极，其中，被驱动的第一透明扫描电极被设定为高电平输出状态，而未被驱动的第一透明扫描电极被设定为低电平输出状态，被驱动的第二透明扫描电极呈现为高阻抗输入状态，而未被驱动的第二透明扫描电极被设定为低电平输出状态。

19.根据权利要求18所述的触压装置，其中该第一透明扫描电极还包括一接触电极，与该第一高电阻区连接，并用以接触该第二透明扫描电极。

20.根据权利要求19所述的触压装置，还包括一凸点，设置在该接触电极。

21.根据权利要求18所述的触压装置，其中该第一高电阻区的电阻值为该第一低电阻区的10至1000倍区间。