[发明专利]触压装置、透明扫描电极及其制造方法

说明书

技术领域

本发明关于一种触压装置、透明扫描电极及其几何电极结构制造方法，且特别关于一种具有高电阻的触压装置、透明扫描电极及其制造方法。

背景技术

在阵列式触压技术市场中，电容式触压技术及电阻式触压技术为目前多点触压技术的市场主流，被广泛应用到3C消费性电子产品中。电容式触压技术主要利用触压元件本身的静电感应方式，改变了触压元件本身电容值，让后端微控制器可以传感到电荷变化，进而将电荷变化转化为触压信号。而电阻式触压技术主要利用触压元件本身导线内阻与触压导通时的触压点等效电阻，进而将电阻值变化转换为触压信号。

请参照图1，图1所示为传统电阻式阵列触压技术的元件扫描电极结构的示意图。传统电阻式阵列触压面板结构中，透明扫描电极结构1包括列电极12、行电极14及凸点16。列电极12及行电极14为条状电极且上下相互垂直交错，而凸点16设置在列电极12与行电极14之间，作为隔绝上下条状电极电气短路的隔绝层。

请同时参照图2及图3，图2所示为传统电阻式阵列触压面板的传感电路示意图，图3所示为传统电阻式阵列触压面板的触压信号时序图。图2示出的列电极R0至R7例如为前述图1示出的列电极12，而图2示出的行电极C0至C7例如为前述的行电极14。由于电阻式多点触压技术主要的驱动电极是依序进行零电位扫描机制，所以后端可以通过虚拟二维座标内插的计算，辨识到多个触压的位置。但是当多触压点同时存在的时候，在一些情况下会造成后端微控制器误判断无法辨识的情况，此时称之为鬼点残影现象。

如图3示出，在触压点T1、触压点T2及触压点T3同时触压的状态下，触压点T1和触压点T2在同列电极R1，而触压点T2和触压点T3在同行电极C5。当零电位扫描机制扫描到行电极C0时，由于触压点T1的存在，列电极R1的电平被拉到系统低电平，但是由于触压点T2的开关也处于关闭状态，便造成了行电极C0和行电极C5发生短路回路，使得行电极C5的电平瞬间被拉到低电平，即使此时零电位扫描机制并未扫描到行电极C5。同时，与触压点T2所在同一列的触压点T3便使得列电极R5和行电极C5短路，也使得列电极R5电平又被拉到低电平。这样在后端辨识触压位置的演算就在扫描行电极C0的区间辨识到有触压点T1及触压点T2这两个触压点，而其中时序图中的行电极C0与列电极R5检测到的触压点便被称为鬼点残影。此外，传统电阻式触压面板的电阻材料的稳定性并不是很稳定。传统电阻式阵列触压面板的电阻材料会因为电阻特性再现性不佳或稳定度不高，造成后端扫描辨识触压的位置困难，而导致在多点触压(Real-Multi-Touch)的应用上会有触压辨识不正常的鬼点残影现象发生。

发明内容

本发明关于一种触压装置、透明扫描电极及其几何电极结构制造方法。

根据本发明的一方面，提出一种透明扫描电极几何结构。透明扫描电极结构包括第一透明扫描电极、第二透明扫描电极及绝缘层。第一透明扫描电极包括第一低电阻区及第一高电阻区。第一高电阻区的电阻值大于第一低电阻区。绝缘层位于第一透明扫描电极及第二透明扫描电极之间。

根据本发明的另一方面，提出一种触压装置。触压装置包括触压面板及处理单元。触压面板包括第一透明扫描电极及第二透明扫描电极。各第一透明扫描电极包括第一低电阻区及第一高电阻区。第一高电阻区的电阻值大于第一低电阻区。绝缘层位于第一透明扫描电极及第二透明扫描电极之间。处理单元用以三态逻辑扫描方法依序扫描驱动第一透明扫描电极及第二透明扫描电极。其中，被驱动的第一透明扫描电极被设定为高电平输出状态，而未被驱动的其他第一透明扫描电极被设定为低电平输出状态，而被驱动的第二透明扫描电极呈现为高阻抗输入状态传感触压信号，而未被驱动的其他第二透明扫描电极被设定为低电平输出状态。

根据本发明的再一方面，提出一种透明扫描电极几何结构的制造方法。几何电极结构制造方法包括：在第一基板形成第一透明扫描电极，第一透明扫描电极包括第一低电阻区及第一高电阻区，且第一高电阻区的电阻值大于第一低电阻区；在第二基板形成第二透明扫描电极；在第一基板形成绝缘层；以及将第一基板与第二基板上下对位贴合。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1所示为传统透明扫描电极结构的示意图。

图2所示为传统电阻式阵列触压面板的电路示意图。

图3所示为传统电阻式阵列触压面板的信号时序图。

图4所示为触压装置的电路示意图。

图5所示为触压面板的电路示意图。