[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，包括：至少一个天线端子；至少一个发送端子；以及至少一个接收端子，并且设置有用于切换信号路径的天线开关，

其中天线开关包括：

第一晶体管组，耦接在天线端子与发送端子之间；

第二晶体管组，耦接在天线端子与接收端子之间；

第三晶体管组，耦接在发送端子与参考电位之间；

第四晶体管组，耦接在接收端子与参考电位之间；以及

第一电容元件，

其中第一到第四晶体管组中的每个晶体管组包括串联耦接的一个或更多个晶体管，并且

其中第一电容元件耦接在构成第一到第四晶体管组的晶体管中的至少一个晶体管的栅极与源极之间或者栅极与漏极之间。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，

其中第一电容元件耦接到设置在第二晶体管组中的晶体管。

3.根据权利要求1或2所述的半导体集成电路装置，

其中第一电容元件被形成在SOI衬底之上。

4.一种半导体集成电路装置，包括：至少一个天线端子；至少一个发送端子；以及至少一个接收端子，并且设置有用于切换信号路径的天线开关，

其中天线开关包括：

第一晶体管组，耦接在天线端子与发送端子之间；

第二晶体管组，耦接在天线端子与接收端子之间；

第三晶体管组，耦接在发送端子与参考电位之间；

第四晶体管组，耦接在接收端子与参考电位之间；

第二电容元件；以及

第三电容元件，

其中第一到第四晶体管组中的每个晶体管组包括串联耦接的一个或更多个晶体管，

其中第二电容元件耦接在构成第一到第四晶体管组的晶体管中的至少一个晶体管的栅极与源极之间，

其中第三电容元件耦接在晶体管的栅极与漏极之间，并且

其中第二电容元件和第三电容元件的电容值彼此不同。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路装置，

其中第二电容元件和第三电容元件被形成在SOI衬底之上。

6.根据权利要求4所述的半导体集成电路装置，

其中第二电容元件和第三电容元件耦接到设置在第二晶体管组中的晶体管。

7.一种半导体集成电路装置，包括：至少一个天线端子；至少一个发送端子；以及至少一个接收端子，并且设置有用于切换信号路径的天线开关，

其中天线开关包括：

第一晶体管组，耦接在天线端子与发送端子之间；

第二晶体管组，耦接在天线端子与接收端子之间；

第三晶体管组，耦接在发送端子与参考电位之间，

第四晶体管组，耦接在接收端子与参考电位之间；以及

第四电容元件，

其中第一到第四晶体管组中的每个晶体管组包括串联耦接的一个或更多个晶体管，以及

其中第四电容元件在电容值方面具有电压依赖性，并且耦接在构成第一到第四晶体管组的晶体管中的至少一个晶体管的源极与漏极之间。

8.根据权利要求7所述的半导体集成电路装置，

其中第四电容元件被形成在SOI衬底之上。

9.根据权利要求7或8所述的半导体集成电路装置，

其中第四电容元件包括耦接在一起的两个MOS电容器，并且这两个MOS电容器之间的耦接部分通过电阻器耦接到参考电位或电源电压。

10.根据权利要求9所述的半导体集成电路装置，

其中MOS电容器中的每一个包括栅极电极、位于栅极电极正下方的栅极氧化物膜和硅衬底，使栅极电极附近的硅衬底区域的杂质浓度比位于栅极电极正下方的硅衬底区域的杂质浓度高，栅极电极电耦接在一起以便获得一个栅极端子，并且分别在每一个栅极电极附近的高杂质浓度硅衬底区域中设置一个端子。

11.根据权利要求9或10所述的半导体集成电路装置，

其中天线开关包括第五电容元件，

其中第五电容元件具有：

一个耦接部分，耦接到构成第一到第四晶体管组的晶体管中的至少一个晶体管的栅极；以及

其它耦接部分，耦接到第四电容元件的两个MOS电容器之间的耦接部分的节点。