[发明专利]壳体及其制作方法无效
| 申请号： | 201010223943.2 | 申请日： | 2010-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102333426A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;张满喜 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K5/04 | 分类号： | H05K5/04;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 壳体 及其 制作方法 | ||
1.一种壳体，其包括一镁或镁合金基体及一形成于该镁或镁合金基体上的一硅烷涂膜层，其特征在于：该壳体还包括一磁控溅射膜。
2.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述硅烷涂膜层的主要成分为硅烷化合物。
3.如权利要求2所述的壳体，其特征在于：所述硅烷涂膜层的厚度为0.5～3μm，磁控溅射膜的厚度为2～6μm。
4.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述磁控溅射膜包括一结合层及形成于结合层上的一耐磨层，该结合层接合于该硅烷涂膜层的表面。
5.如权利要求4所述的壳体，其特征在于：所述结合层为A1层，与其相结合的耐磨层为TiCN层、A1N层、TiN层或CrN层。
6.如权利要求4所述的壳体，其特征在于：所述结合层为Ti层，与其相结合的耐磨层为TiCN层、A1N层、TiN层或CrN层。
7.一种壳体的制作方法，其包括如下步骤：
提供一镁或镁合金基体；
于镁或镁合金基体上形成一硅烷涂膜层；
于硅烷涂膜层上形成一磁控溅射膜。
8.如权利要求7所述的壳体的制作方法，其特征在于：所述磁控溅射膜包括一A1结合层及形成于A1结合层上的一TiCN耐磨层。
9.如权利要求8所述的壳体的制作方法，其特征在于：形成所述磁控溅射膜的工艺为：将形成有硅烷涂膜层的镁或镁合金基体置于一镀膜机中，加热该镀膜机的腔体至50～150℃，同时抽真空该腔体至8.0×10-3～5.0×10-2pa，开启铝靶电源，通入氩气，调节偏压至-50～-300V，沉积结合层；关闭铝靶电源并开钛靶电源，通入氮气及乙炔气体，调节偏压至-50～-300V，沉积耐磨层。
10.如权利要求9所述的壳体的制作方法，其特征在于：所述氩气的流量为150sccm，所述氮气的流量为60～80sccm，所述乙炔气体的流量为70～90sccm。
11.如权利要求9所述的壳体的制作方法，其特征在于：所述结合层的沉积时间为100s-1800s，所述耐磨层的沉积时间为120s～3000s。
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