[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，包含：

提供一基底，该基底在其一表面具有一第一鳍状物；以及

形成一第一鳍式场效应晶体管，其具有：

在该第一鳍状物上形成一第一栅极堆叠结构；

在该第一栅极堆叠结构的一侧壁上形成一第一薄层间隙壁；

从该第一鳍状物以外延的方式生长一第一外延区；

在该第一外延区的外延生长步骤之后，在该第一薄层间隙壁的外缘上形成一第一主间隙壁；及

在形成该第一主间隙壁的步骤之后，执行一第一深源/漏极掺杂步骤，以形成该第一鳍式场效应晶体管的一第一深源/漏极区。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，还包含在该第一外延区的外延生长步骤之前，执行一注入步骤以在该第一鳍状物中形成一轻掺杂源/漏极区。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该第一鳍式场效应晶体管为N型的鳍式场效应晶体管，且该第一外延区包含一第一部分与一第二部分，该第一部分在该第一鳍状物的上表面上，该第二部分在该第一鳍状物的一侧壁上。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该第一鳍式场效应晶体管为P型的鳍式场效应晶体管，且还包含在该第一外延区的外延生长步骤之前，使该第一鳍状物凹入而形成一凹部，该第一外延区则在该凹部中生长。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，还包含形成一第二鳍式场效应晶体管，其具有：

在一第二鳍状物上形成一第二栅极堆叠结构，其中该第二鳍状物位于该基底的该表面上；

在该第二栅极堆叠结构的一侧壁上形成一第二薄层间隙壁；

在该第二鳍状物上以外延的方式生长一第二外延区，其中该第二外延区包含一第一部分与一第二部分，该第一部分在该第二鳍状物的上表面上，该第二部分在该第二鳍状物的一侧壁上；

在该第二外延区的外延生长步骤之后，在该第二薄层间隙壁的外缘上形成一第二主间隙壁；及

在形成该第二主间隙壁的步骤之后，执行一第二深源/漏极掺杂步骤，以形成该第二鳍式场效应晶体管的一第二深源/漏极区。

6.一种半导体结构的形成方法，包含：

提供一半导体基底，该半导体基底在一P型金属-氧化物-半导体区内具有一第一鳍状物、在一N型金属-氧化物-半导体区内具有一第二鳍状物；

在该P型金属-氧化物-半导体区中形成一P型鳍式场效应晶体管，其具有：

在该第一鳍状物上形成一第一栅极堆叠结构；

在该第一栅极堆叠结构的一侧壁上形成一第一薄层间隙壁；

以该第一薄层间隙壁为掩模，执行一第一轻掺杂源/漏极注入步骤；

以该第一薄层间隙壁为掩模，在该第一鳍状物中形成一凹部；

以外延的方式在该凹部中生长一第一外延区；及

在该第一外延区的外延生长步骤之后，在该第一薄层间隙壁的侧壁上形成一第一主间隙壁；以及

在该N型金属-氧化物-半导体区中形成一N型鳍式场效应晶体管，其具有：

在该第二鳍状物上形成一第二栅极堆叠结构；

在该第二栅极堆叠结构的一侧壁上形成一第二薄层间隙壁；

以该第二薄层间隙壁为掩模，执行一第二轻掺杂源/漏极注入步骤；

以外延的方式在该第二鳍状物的一上表面与侧壁的暴露部分上，生长一第二外延区；及

在该第二外延区的外延生长步骤之后，在该第二薄层间隙壁的侧壁上形成一第二主间隙壁。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，还包含：

在形成该第一主间隙壁之后，在该第一外延区上形成一第一硅化物区，其中该第一外延区的一内部未受到硅化，而该第一外延区的一外部受到硅化；以及

在形成该第二主间隙壁之后，在该第二外延区上形成一第二硅化物区，其中该第二外延区的一内部未受到硅化，而该第二外延区的一外部受到硅化。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其中该第一外延区具有一第一底部，该第一底部低于该第二外延区的一第二底部，且该第一底部低于一邻接的浅沟槽隔离区的一上表面、该第二底部则未低于该邻接的浅沟槽隔离区的该上表面。