[发明专利]半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201010224815.X | 申请日： | 2010-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102163550A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 周汉源;朱鸣;张立伟;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
1.一种半导体元件的制造方法，包括：
形成垫氧化层于一基底的前侧和后侧上方；
形成硬式掩模层于该基底的前侧和后侧上的垫氧化层上方；及
薄化该基底前侧的垫氧化层上方的硬式掩模层至一厚度，该厚度小于该基底后侧的垫氧化层上方的硬式掩模层的厚度。
2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中薄化该基底前侧的垫氧化层上方的硬式掩模层的步骤使用一干式蚀刻工艺。
3.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该硬式掩模层包括氮化硅。
4.一种半导体元件的制造方法，包括：
形成垫氧化层于一基底的前侧和后侧上方；
形成硬式掩模层于该基底的前侧和后侧上的垫氧化层上方；
形成牺牲氧化层于该基底的前侧和后侧上的硬式掩模层上方；及
移除该基底前侧的硬式掩模层上方的牺牲氧化层。
5.如权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其中移除该基底前侧的硬式掩模层上方的牺牲氧化层的步骤使用一干式蚀刻工艺。
6.如权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其中该硬式掩模层包括氮化硅。
7.一种半导体元件的制造方法，包括：
形成垫氧化层于一基底的前侧和后侧上方；
形成硬式掩模层于该基底的前侧和后侧上的垫氧化层上方；
形成一沟槽于该基底的前侧；
于该沟槽中填入一介电层，该介电层覆盖该基底的全部前侧；及
形成牺牲氧化层于该基底前侧的介电层上方和后侧的硬式掩模层上方。
8.如权利要求7所述的半导体元件的制造方法，还包括：
进行一化学机械研磨法，以移除该基底前侧的牺牲氧化层和介电层的顶部部分。
9.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，还包括：
移除该基底前侧的垫氧化层上方的硬式掩模层，该基底后侧的垫氧化层上方的硬式掩模层被该基底后侧的牺牲氧化层保护。
10.如权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其中该硬式掩模层包括氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
