[发明专利]半导体元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路的制造方法，尤其涉及一种半导体元件的制造方法。

背景技术

半导体集成电路工业已经历快速的成长。集成电路(IC)材料技术上的改进已制作出好几世代的集成电路，其中每个世代均较前一世代复杂。然而，上述的发展均使IC的工艺与制造变得更为复杂，因此，IC工艺也需要有相对应的进展以实现先进的集成电路。

图1A-图1C显示传统制造半导体元件的各阶段剖面图，其中基底102包括一前侧102a和一后侧102b。图1A揭示以传统隔离工艺所形成的结构，包括：形成垫氧化层112a、112b于基底102的前侧102a和后侧102b上方；形成包括例如氮化硅的硬式掩模层114a、114b于基底102前侧102a和后侧102b上的垫氧化层112a、112b上方；于基底102的前侧102a形成一穿过硬式掩模层114a和垫氧化层112a的开口122；经由上述开口122进行一各向异性蚀刻，于基底102的前侧102b形成一沟槽124；以一介电层126填满上述沟槽124，该介电层126延伸超过沟槽124，覆盖硬式掩模层114a的全部表面；进行化学机械研磨法(CMP)，移除硬式掩模层114a上方的介电层126，以暴露基底102前侧102a的硬式掩模层114a，留下填入开口122和沟槽124的介电层126。

然而，此传统技术在移除硬式掩模层114a和垫氧化层112a暴露基底102的前侧102a时遇到问题(其形成的结构如图1C所示)。硬式掩模层114a、114b和垫氧化层112a、112b是以两个分开的湿蚀刻步骤移除。如图1B所示，在使用磷酸的第一湿蚀刻步骤中，基底102前侧102a和后侧102b的硬式掩模层114a、114b同时被移除，留下基底102前侧102a和后侧102b的垫氧化层112a、112b。接着，如图1C所示，以使用氢氟酸的第二湿蚀刻步骤同时移除基底102前侧102a和后侧102b的垫氧化层112a、112b，暴露前侧102a和后侧102b的部分基底102。

在一些结构中，基底102后侧102b暴露的部分在后续等离子体相关的工艺中可提供载流子传输路径，因此可能会增加元件的不稳定性，及/或元件的失效。因此，业界需要一半导体元件的制造方法，其可从元件的早期制造阶段于基底的后侧形成介电薄膜。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括形成垫氧化层于一基底的前侧和后侧上方；形成硬式掩模层于基底的前侧和后侧上的垫氧化层上方；及薄化基底前侧的垫氧化层上方的硬式掩模层至一厚度，厚度小于基底后侧的垫氧化层上方的硬式掩模层。

本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括形成垫氧化层于一基底的前侧和后侧上方；形成硬式掩模层于基底的前侧和后侧上的垫氧化层上方；形成牺牲氧化层于基底的前侧和后侧上的硬式掩模层上方；及移除基底前侧硬式掩模层上方的牺牲氧化层。

本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括形成垫氧化层于一基底的前侧和后侧上方；形成硬式掩模层于基底的前侧和后侧上的垫氧化层上方；形成一沟槽于基底的前侧；于沟槽中填入一介电层，介电层覆盖基底的全部前侧；及形成牺牲氧化层于基底前侧的介电层上方和后侧的硬式掩模层上方。

本发明可增加元件的稳定性及元件的有效。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A-图1C显示传统制作半导体元件的各阶段的剖面图。

图2揭示本发明一实施例制作半导体元件的流程图。

图3A～图3G显示本发明一实施例制作半导体元件的各阶段的剖面图。

图4显示本发明另一实施例制作半导体元件的流程图。

图5A-图5E显示本发明另一实施例制作半导体元件的各阶段的剖面图。

图6显示本发明又另一实施例制作半导体元件的流程图。

图7A～图7B显示本发明又另一实施例制作半导体元件的各阶段的剖面图。

图8显示使用本发明一实施例制作半导体元件的剖面图。

其中，附图标记说明如下：

102～基底；102a～前侧；

102b～后侧；112a～垫氧化层；

112b～垫氧化层；114a～硬式掩模层；

114b～硬式掩模层；122～开口；

124～沟槽；126～介电层；

200～方法；202～步骤；

204～步骤；206～步骤；

208～步骤；300～半导体元件；