[发明专利]镀膜装置与其蒸发源装置,及其蒸发源容器无效
申请号: | 201010225087.4 | 申请日: | 2010-07-05 |
公开(公告)号: | CN101949002A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 松浦宏育;土井秀明;加藤升;韭泽信广 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 熊志诚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜 装置 与其 蒸发 及其 容器 | ||
技术领域
本发明涉及镀膜装置和蒸发源装置,尤其是关于适合制造有机EL器件等的镀膜装置、蒸发源装置,及其蒸发源容器。
背景技术
作为制造有机EL器件用的主要的方法有真空蒸镀法。利用这种真空蒸镀法制造有机EL器件时,尤其是、在玻璃板等被蒸镀基板的表面形成以电极夹持的发光材料层(EL层)的镀膜装置中,广泛使用了在真空室内,将配置在与该被蒸镀基板相对的位置,使其位置互相移动并进行加热而气化了的气体状(或蒸汽状)的EL材料蒸镀于基板表面的镀膜装置。
例如,下面的专利文献1,公开了通过简单的结构可以供应稳定的气体状EL材料的坩埚的结构,并记载了利用节流孔控制压力,可供应稳定的蒸汽。
另外,下面的专利文献2,公开了用于向被蒸镀基板的表面供应不同材料的蒸镀装置,并记载了蒸镀装置具有多个(两个)蒸发用容器,由配置成同心状的不同的喷嘴将保存在各容器内的蒸发材料蒸镀在玻璃基板上。
再者,下面的专利文献3公开了,减轻作为蒸发源的坩埚对蒸镀掩膜的辐射热的坏影响,即通过具有抑制蒸镀掩膜热膨胀的结构的同时,在向长边方向延伸的坩埚的上表面设置多个孔,从而在被蒸镀基板的下侧表面蒸镀蒸镀材料的蒸镀装置。
而且,下面的专利文献4提出了如下的蒸镀源的方案,与上述专利文献3同样地将在向长边方向延伸的坩埚即蒸镀源容器平行地排列多个,能以更高的速率蒸镀蒸镀材料的蒸镀源。
又,下面的专利文献5公开了,在真空蒸镀装置中,在蒸发源容器上设有用于隔开并容纳升华性蒸镀材料的隔壁,从而在采用电阻加热蒸镀法利用蒸发源加热升华性蒸镀材料时,不会因加热而破坏固态的升华性蒸镀材料。
又,下面的专利文献6,提出了为均匀地形成大面积的薄膜,利用以覆盖 蒸镀源的沟槽的方式安装并具有多个的孔的掩模的薄膜成形装置的方案。
专利文献1:日本特开2007-186787号公报
专利文献2:日本特开2005-336527号公报
专利文献3:日本特开2004-214185号公报
专利文献4:日本特开2007-46100号公报
专利文献5:日本特开2004-68081号公报
专利文献6:日本特开2003-160855号公报
但是,在作为蒸发源容器的坩埚内加热在有机EL器件的制造中所必须的薄膜物质,即EL材料,以供应气化的气体(或蒸汽)时,由于是非常昂贵又容易发生热老化的材料,因此希望在容器内不残留该EL材料,气化其全部进行供应,并且,尤其是近年来对大型基板蒸镀EL材料时,需要将蒸镀材料的热损坏限制在最小限度而以高速率进行气化,因此,需要一种蒸镀材料的气化装置,用以向填充到蒸发源容器内的所有蒸镀材料有效地进行传热,以低温加热而可以得到高速率。
与之相比,在上述现有技术中,例如上述专利文献4虽然与上述专利文献3同样地记载了平行地排列多个向长边方向延伸的坩埚,以高速率蒸发蒸镀材料,但都没有提出有关用于实现有效地对坩埚中的蒸镀材料进行传热,并以高速率蒸发蒸镀材料的结构。
发明内容
因此,鉴于上述现有技术中还存在的问题,由于其价格昂贵而且材料容易加热老化,因此本发明的目的在于提供一种镀膜装置和蒸发源装置,以及相应的新型的蒸发源容器的结构,即使以较低的温度加热残留在容器内的材料量也少,即,可以有效地气化、蒸发蒸镀材料,并且这时也不会使加热温度过度地上升,可以长时间地进行高纯度且高速率的镀膜处理。
为达到上述目的,根据本发明,首先,提供一种镀膜装置,其用于在真空内向被蒸镀基板表面包覆蒸镀材料,其具有:真空室;在所述真空室内,加热所述蒸镀材料而产生该蒸镀材料的气体的装置;将来自产生所述气体的装置的蒸镀材料的气体供应到所述被蒸镀基板表面的蒸发源装置,所述蒸发源装置将多个蒸发源容器在垂直方向层叠一层以上构成。
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