[发明专利]具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法

权利要求书

1.一种具有BTS结构的SOIMOS器件，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底之上的绝缘埋层、位于所述绝缘埋层之上的有源区、以及位于所述有源区周围的浅沟槽隔离结构；

所述有源区包括：栅区、位于所述栅区之下的体区、位于所述体区两端的N型源区和N型漏区；在所述栅区周围设有侧墙隔离结构；

所述N型源区包括：两个重掺杂N型区、位于所述两个重掺杂N型区之间的重掺杂P型区、位于所述两个重掺杂N型区和重掺杂P型区之上并与它们相接触的硅化物、以及与所述硅化物相连的浅N型区；所述重掺杂P型区与所述两个重掺杂N型区、浅沟槽隔离结构、体区以及其上的硅化物相接触。

2.根据权利要求1所述具有BTS结构的SOIMOS器件，其特征在于：所述硅化物选自硅化钴、硅化钛中的一种。

3.根据权利要求1所述具有BTS结构的SOIMOS器件，其特征在于：所述体区采用P型的Si材料。

4.一种具有BTS结构的SOIMOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、在具有绝缘埋层的Si材料上制作浅沟槽隔离结构，隔离出部分Si材料，并在该部分Si材料上制作栅区；

步骤二、进行源区轻掺杂和漏区轻掺杂，形成轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区；

步骤三、在栅区周围制作侧墙隔离结构，所述侧墙隔离结构将轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区的部分表面覆盖，然后进行源区和漏区离子注入，形成N型Si材料源区和N型漏区，在所述N型Si材料源区和N型漏区之间形成体区；所述N型Si材料源区由侧墙隔离结构下方的浅N型区和重掺杂的N型区域组成；

步骤四、通过离子注入的方法，从N型Si材料源区未被侧墙隔离结构覆盖的表面向下注入离子，在其重掺杂的N型区域的中部形成重掺杂P型区，该重掺杂P型区将所述重掺杂的N型区域分成两个重掺杂N型区；

步骤五、在重掺杂P型区以及两个重掺杂N型区的表面形成一层金属，然后通过热处理使该金属与其下的Si材料反应生成硅化物，使该硅化物与所述重掺杂P型区及两个重掺杂N型区接触，生成的硅化物和重掺杂P型区、两个重掺杂N型区及浅N型区构成N型源区，最终完成MOS器件结构。

5.根据权利要求4所述具有BTS结构的SOIMOS器件的制作方法，其特征在于：步骤一中，在制作所述栅区之前先对隔离出的部分Si材料进行P离子注入。

6.根据权利要求4所述具有BTS结构的SOIMOS器件的制作方法，其特征在于：步骤二中，所述源区轻掺杂和漏区轻掺杂注入剂量达到1e15/cm²的量级，所述轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区的浓度达到1e19/cm³的量级。

7.根据权利要求4所述具有BTS结构的SOIMOS器件的制作方法，其特征在于：步骤四中，采用一道在所述重掺杂的N型区域中部的位置设有开口，且该开口与侧墙隔离结构边缘对齐的掩膜版，经由该掩膜版垂直地进行重掺杂P离子注入，从而形成重掺杂P型区。

8.根据权利要求4所述具有BTS结构的SOIMOS器件的制作方法，其特征在于：步骤五，所述金属选自Co、Ti中的一种。

9.根据权利要求4所述具有BTS结构的SOIMOS器件的制作方法，其特征在于：步骤五中，所述热处理采用炉管退火工艺。

10.根据权利要求4所述具有BTS结构的SOIMOS器件的制作方法，其特征在于：步骤五中，所述热处理的温度为700-900℃，时间为50-70秒。