[发明专利]用于制造抛光的半导体晶片的方法

权利要求书

1.一种用于制造抛光的半导体晶片的方法，所述方法包括以下顺序的多个步骤：

-由半导体材料构成的棒切割出半导体晶片，

-对半导体晶片的至少一侧进行材料去除处理，以及

-抛光半导体晶片的所述至少一侧，

其中，在所述材料去除处理之后、对待抛光的所述至少一侧进行抛光之前，半导体晶片沿着其边部具有环形局部隆起部，所述局部隆起部具有至少0.1μm的最大高度，且局部隆起部在半导体晶片的边部处的10mm宽的环内达到其最大高度。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，局部隆起部在半导体晶片的边部处的5mm宽的环内达到其最大高度。

3.如权利要求1-2中任一所述的方法，其特征在于，所述局部隆起部的最大高度为0.1-10μm。

4.如权利要求1-2中任一所述的方法，其特征在于，所述局部隆起部的最大高度为0.5-5μm。

5.如权利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于，在半导体晶片的经受抛光的每一侧上，通过抛光产生的材料去除量为3-30μm。

6.如权利要求1-5中任一所述的方法，其特征在于，所述材料去除处理包括：至少一种利用液体蚀刻剂对半导体晶片的处理，其中，蚀刻剂在处理过程中与半导体晶片的表面大致平行地流到半导体晶片的边缘上，局部隆起部通过至少局部屏蔽半导体晶片的边部处的环以防止蚀刻剂直接在所述环上流动产生。

7.如权利要求1-5中任一所述的方法，其特征在于，所述材料去除处理包括：至少一种利用液体蚀刻剂对半导体晶片的处理，其中，蚀刻剂喷射到半导体晶片的至少一侧上，且半导体晶片的边部处的所述环至少部分被遮盖。

8.如权利要求1-5中任一所述的方法，其特征在于，所述材料去除处理包括：至少一种借助于至少一个杯形磨削盘对半导体晶片的至少一侧的磨削处理，其中，所述至少一个杯形磨削盘在磨削处理过程中相对于半导体晶片定位成使半导体晶片的边部处的所述环未被处理，从而，在磨削处理过程中在所述环的表面上产生局部隆起部。