[发明专利]用于制造抛光的半导体晶片的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于制造抛光的半导体晶片的方法，所述方法包括以下顺序的多个步骤：

-由半导体材料构成的棒切割出半导体晶片，

-对半导体晶片的至少一侧进行材料去除处理，以及

-抛光半导体晶片的所述至少一侧。

背景技术

半导体晶片通常具有抛光的前侧，装置插入所述前侧中。日益迫切的需要涉及到前侧的平坦度。为了能够在半导体晶片上制造最大可能数目的装置，直到前侧的边缘必须尽可能地严格地确保必需的平坦度。

用于总体上讲提高半导体晶片的侧表面的平坦度和具体地讲提高前侧的平坦度的绝大部分的努力始终集中在影响平坦度的半导体晶片的材料去除处理的步骤上。它们特别是包括诸如一个或两个侧表面的研磨、磨削和抛光的步骤。实际上总要执行被实施为单面或双面抛光的至少一种抛光过程。然而，如DE10302611A1所述，诸如蚀刻侧表面的处理步骤也会影响平坦度，特别是侧表面的边部区域中的平坦度。半导体晶片通常在第一次抛光过程之前被蚀刻，以消除由前面的成形处理例如由于对半导体晶片的磨削或研磨(或这些方法的组合)对表面造成的损坏。所引用的专利申请公开了一种蚀刻方法，其中，半导体晶片在蚀刻过程中暴露在被引导到半导体晶片的边缘上的液体蚀刻剂流下。为了在蚀刻过程中使半导体晶片获得直到最外的边部的最可能平坦的侧表面，半导体晶片的边部在蚀刻过程中借助于特殊的屏蔽件被屏蔽而免受流动的蚀刻剂。在抛光之前直到最外的边部的尽可能平坦的半导体晶片的侧表面被认为是使抛光的半导体晶片在边部区域也具有非常好的几何形状的前提条件。然而，已经发现，边部区域中的几何形状仍有改进的需要，即使采用了DE10302611A1的教导时。

发明内容

因此，本发明的目的是进一步改善抛光的半导体晶片在边部区域中的几何形状。

上述目的通过一种用于制造抛光的半导体晶片的方法实现，所述方法包括以下顺序的多个步骤：

-由半导体材料构成的棒切割出半导体晶片，

-对半导体晶片的至少一侧进行材料去除处理，以及

-抛光半导体晶片的所述至少一侧，

其中，在所述材料去除处理之后、对待抛光的所述至少一侧进行抛光之前，半导体晶片沿着其边部具有环形局部隆起部，所述局部隆起部具有至少0.1μm的最大高度，且局部隆起部在半导体晶片的边部处的10mm宽的环内达到其最大高度。

与DE10302611A1的教导不同，发明人已经发现，在抛光之前尽可能平坦的半导体晶片并不是在抛光之后在晶片边部处获得良好的几何形状的最佳的前提条件。相反，根据本发明，在待抛光的半导体晶片的至少一侧的边部区域上设有轻微的局部隆起部，所述隆起部在抛光过程中去除。抛光此时会产生这样一种半导体晶片，其直到最外的边部均具有良好的平坦度而不具有明显的塌边。优选地，隆起部形成在半导体晶片的经受抛光的每一侧的边部处，即，在单面抛光的情况下仅在一侧、在双面抛光的情况下在两侧形成隆起部。

隆起部的最大高度以及高度最大值的位置根据随后的抛光步骤的处理参数选择。这些处理参数主要包括接触压力、抛光垫质量(硬度)、抛光浆液的成分、抛光板和承载件的转动速度以及主要的要达到的抛光去除的高度。在半导体晶片的经受抛光的每一侧上，通过抛光产生的材料去除量通常为3-30μm。抛光去除量越高，根据本发明的隆起部的高度就必须越大，以便获得所希望的结果。

根据本发明，局部隆起部的最大值位于沿着晶片边缘的从边缘向内延伸10mm的环形区域中。优选地，局部隆起部的高度最大值位于半导体晶片的最外的5毫米上，即位于从晶片边缘向内延伸5mm的环的表面上。

根据本发明，局部隆起部的高度为至少0.1μm。在0.1μm的高度以下时，在随后的抛光过程中即使在非常小的材料去除量的情况下也不再能获得期望的结果。优选地，根据本发明的隆起部不高于10μm，这是因为否则会需要非常高的抛光去除量才能借助于抛光获得不具有边部隆起部的平坦晶片边部。由于这些原因，在抛光之前的隆起部的高度特别优选地位于0.5-5μm的范围内。

附图说明

下面，参看附图更详细地描述本发明以及优选的实施例，附图包括：

图1示出了用于描述半导体晶片的边部处的根据本发明的隆起部的参数；

图2a、2b和2c示意性地示出了通过杯形磨削盘处理半导体晶片产生根据本发明的隆起部的情况；

图3示意性地示出了通过使用屏蔽晶片边部的屏蔽件的蚀刻产生根据本发明的隆起部的情况；