[发明专利]基于FLOTOX结构的抗辐射EEPROM存储单元结构

权利要求书

1.基于FLOTOX结构的抗辐射EEPROM存储单元结构，其特征在于包括选择管(M1)和存储管(M2)，选择管(M1)为NMOS管，存储管(M2)为FLOTOX结构的EEPROM存储管；

所述选择管(M1)包括选择管漏端(1)、多晶硅栅(2)、选择管源端，第八区域(8)作为选择管(M1)的源端，第八区域(8)位于多晶硅栅(2)外围，多晶硅栅(2)为环形将漏端(1)包围起来，环形的多晶硅栅(2)向第八区域(8)方向有一凸出区域，所述凸出区域内部设有接触孔(3)，在漏端(1)区域内部也设有接触孔(3)；

存储管(M2)包括存储管源端(5)、浮栅(6)、控制栅(7)、存储管漏端，第八区域(8)同时作为存储管(M2)的漏端，选择管(M1)和存储管(M2)通过第八区域(8)串联；第八区域(8)位于控制栅(7)外围，控制栅(7)和浮栅(6)都为环形将源端(5)包围起来；所述控制栅(7)全覆盖浮栅(6)，浮栅(6)与场区不交叠；在存储管源端(5)区域内部设有接触孔(3)；在存储管(M2)的控制栅(7)下面是浮空的浮栅(6)，浮栅(6)边缘有一个隧道孔(4)，隧道孔(4)作为电子注入或移出浮栅(6)的通道；

所述选择管(M1)和存储管(M2)串联组成的存储单元共有四个端口分别为：选择管漏端(1)、存储管源端(5)、选择管(M1)的多晶硅栅(2)、控制栅(7)；选择管(M1)的漏端(1)为存储单元的漏端，与位线相连；存储管(M2)的源端(5)为存储单元的源端，与存储阵列的源相连；选择管(M1)的多晶硅栅(2)为存储单元的选择栅，与字线相连；存储管(M2)的控制栅(7)为存储单元的控制栅，与字节的选通管源端相连。

2.如权利要求1所述基于FLOTOX结构的抗辐射EEPROM存储单元结构，其特征是：所述控制栅(7)和浮栅(6)向第八区域(8)方向有一凸出区域，存储管(M2)的隧道孔(4)做在所述凸出区域内。

3.如权利要求1所述基于FLOTOX结构的抗辐射EEPROM存储单元结构，其特征是：整个存储单元做在P-型衬底上。

4.如权利要求2所述基于FLOTOX结构的抗辐射EEPROM存储单元结构，其特征是：所述控制栅(7)、浮栅(6)的凸出区域和多晶硅栅(2)的凸出区域位于选择管(M1)和存储管(M2)的版图之间。

5.如权利要求1所述基于FLOTOX结构的抗辐射EEPROM存储单元结构，其特征是：所述存储管(M2)的控制栅(7)向两侧延伸至存储单元边沿。

6.如权利要求1所述基于FLOTOX结构的抗辐射EEPROM存储单元结构，其特征是：所述选择管(M1)在多晶硅栅(2)的凸出区域通过接触孔(3)与一铝相连，通过一铝将一个字节的选择管(M1)的多晶硅栅(2)依次相连。